Vai al contenuto principale della pagina
| Autore: |
Pantic Dragan M.
|
| Titolo: |
Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP / / Dragan M. Pantie [and four others]
|
| Pubblicazione: | Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center, , [1990] |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (15 pages) : illustrations |
| Soggetto topico: | Capacitance-voltage characteristics |
| Electron beams | |
| Indium phosphides | |
| Irradiation | |
| Phosphorus | |
| Plasmas (physics) | |
| Radiation damage | |
| Vapor deposition | |
| Note generali: | "Performing organization: National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center"--Report documentation page. |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 13). |
| Titolo autorizzato: | Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP ![]() |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910705874403321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |