Vai al contenuto principale della pagina
Autore: | Pantic Dragan M. |
Titolo: | Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP / / Dragan M. Pantie [and four others] |
Pubblicazione: | Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center, , [1990] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (15 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Capacitance-voltage characteristics |
Electron beams | |
Indium phosphides | |
Irradiation | |
Phosphorus | |
Plasmas (physics) | |
Radiation damage | |
Vapor deposition | |
Note generali: | "Performing organization: National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center"--Report documentation page. |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 13). |
Titolo autorizzato: | Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910705874403321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |