Vai al contenuto principale della pagina

Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP / / Dragan M. Pantie [and four others]



(Visualizza in formato marc)    (Visualizza in BIBFRAME)

Autore: Pantic Dragan M. Visualizza persona
Titolo: Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP / / Dragan M. Pantie [and four others] Visualizza cluster
Pubblicazione: Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center, , [1990]
Descrizione fisica: 1 online resource (15 pages) : illustrations
Soggetto topico: Capacitance-voltage characteristics
Electron beams
Indium phosphides
Irradiation
Phosphorus
Plasmas (physics)
Radiation damage
Vapor deposition
Note generali: "Performing organization: National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center"--Report documentation page.
Nota di bibliografia: Includes bibliographical references (page 13).
Titolo autorizzato: Electron beam induced damage in PECVD Si₃N₄ and SiO₂ films on InP  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910705874403321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui