Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra
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| Autore: |
Niedra Janis M
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| Titolo: |
Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra
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| Pubblicazione: | Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , [2006] |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (6 pages) : illustrations |
| Soggetto topico: | Junction transistors |
| High temperature | |
| Bipolar transistors | |
| Switching | |
| Static loads | |
| Electric potential | |
| Note generali: | Title from title screen (viewed on Oct. 20, 2010). |
| "November 2006." | |
| Titolo autorizzato: | Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910699314303321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
NASA contractor report ; ; NASA CR-214257.