Pulsed capacitance measurement of silicon carbide (SiC) Schottky diode and SiC metal oxide semiconductor [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin
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| Autore: |
Griffin Timothy E
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| Titolo: |
Pulsed capacitance measurement of silicon carbide (SiC) Schottky diode and SiC metal oxide semiconductor [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin
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| Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2006] |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (vi, 22 pages) : illustrations |
| Soggetto topico: | Pulsed power systems |
| Diodes, Schottky-barrier | |
| Metal oxide semiconductors | |
| Note generali: | Title from PDF title screen (ARL, viewed Mar. 23, 2010). |
| "November 2006." | |
| Altri titoli varianti: | Pulsed capacitance measurement of silicon carbide |
| Titolo autorizzato: | Pulsed capacitance measurement of silicon carbide (SiC) Schottky diode and SiC metal oxide semiconductor |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910699339303321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
ARL-TR (Aberdeen Proving Ground, Md.) ; ; 3993.