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Autore: | Semendy Fred |
Titolo: | Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe)/Si graded structure with varying Ge concentration grown by ultra-high vacuum (UHV)/chemical vapor deposition (CVD) for optoelectronic and power conversion applications / / Fred Semendy [and three others] |
Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , 2012 |
Descrizione fisica: | 1 online resource (vi, 16 pages) : color illustrations |
Soggetto topico: | Surfaces (Technology) - Analysis |
Chemical vapor deposition | |
Optoelectronic devices | |
Note generali: | Title from title screen (viewed on Jan. 17, 2013). |
"September 2012." | |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (pages 11-12). |
Altri titoli varianti: | Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium |
Titolo autorizzato: | Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe) |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910702307603321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |