Silicon carbide power devices / / B. Jayant Baliga
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| Autore: |
Baliga B. Jayant <1948->
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| Titolo: |
Silicon carbide power devices / / B. Jayant Baliga
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| Pubblicazione: | New Jersey, : World Scientific, c2005 |
| Edizione: | 1st ed. |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (xxi, 503 p. ) : ill. (some col.) |
| Disciplina: | 621.3815/2 |
| Soggetto topico: | Silicon carbide - Electric properties |
| Semiconductors | |
| Note generali: | Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references and index. |
| Nota di contenuto: | ch. 1. Introduction -- ch. 2. Material properties and technology -- ch. 3. Breakdown voltage -- ch. 4. PiN rectifiers -- ch. 5. Schottky rectifiers -- ch. 6. Shielded Schottky rectifiers -- ch. 7. Metal-semiconductor field effect transistors -- ch. 8. The Baliga-pair configuration -- ch. 9. Planar power MOSFETs -- ch. 10. Shielded planar MOSFETs -- ch. 11. Trench-gate power MOSFETs -- ch. 12. Shielded trench-gate power MOSFETs -- ch. 13. Charge coupled structures -- ch. 14. Integral diodes -- ch. 15. Lateral high voltage FETs -- ch. 16. Synopsis. |
| Titolo autorizzato: | Silicon carbide power devices |
| ISBN: | 981-277-452-1 |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910821665003321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |