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Autore: | Beatty Marvin E. |
Titolo: | Annealing of 22-, 40-, and 158-MeV proton damage in n- and p-type silicon / / by Marvin E. Beatty III and Gerald F. Hill |
Pubblicazione: | Washington, D.C. : , : National Aeronautics and Space Administration, , April 1969 |
Descrizione fisica: | 1 online resource (25 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Solar cells - Materials - Effect of radiation on |
Solar cells - Materials - Defects | |
Extraterrestrial radiation | |
Silicon - Heat treatment | |
Silicon - Effect of radiation on | |
Persona (resp. second.): | HillGerald F. |
Note generali: | "April 1969." |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 11). |
Titolo autorizzato: | Annealing of 22-, 40-, and 158-MeV proton damage in n- and p-type silicon |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910713911303321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |