20 GHz monolithic transmit modules / / J.A. Higgins, principal investigator
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| Autore: |
Higgins J. A.
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| Titolo: |
20 GHz monolithic transmit modules / / J.A. Higgins, principal investigator
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| Pubblicazione: | Thousand Oaks CA : , : Rockwell International Science Center, , May 1988 |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (viii, 80, 5 pages, 7 unnumbered pages) : illustrated |
| Soggetto topico: | Field effect transistors |
| Phase shift circuits | |
| Power amplifiers | |
| Gallium arsenides | |
| Ion implantation | |
| Note generali: | Title from title screen (viewed on July 10, 2015). |
| "May 1988." | |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 79). |
| Titolo autorizzato: | 20 GHz monolithic transmit modules |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910703867603321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |