Band-bending effect of low-temperature GaAs on a pseudomorphic modulation-doped field-effect transistor [[electronic resource] /] / W. D. Sun ... [and others]
(Visualizza in formato marc)
(Visualizza in BIBFRAME)
| Titolo: |
Band-bending effect of low-temperature GaAs on a pseudomorphic modulation-doped field-effect transistor [[electronic resource] /] / W. D. Sun ... [and others]
|
| Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [1999] |
| Descrizione fisica: | iii, 13 pages : digital, PDF file |
| Soggetto topico: | Field-effect transistors |
| Quantum wells | |
| Photoluminescence | |
| Altri autori: |
SunW. D
|
| Note generali: | Title from title screen (viewed Feb. 26, 2009). |
| "May 1999." | |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 7). |
| Titolo autorizzato: | Band-bending effect of low-temperature GaAs on a pseudomorphic modulation-doped field-effect transistor |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910697682903321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |