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Autore: | Griffin Timothy E |
Titolo: | Pulsed capacitance measurement of silicon carbide (SiC) Schottky diode and SiC metal oxide semiconductor [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin |
Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2006] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (vi, 22 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Pulsed power systems |
Diodes, Schottky-barrier | |
Metal oxide semiconductors | |
Note generali: | Title from PDF title screen (ARL, viewed Mar. 23, 2010). |
"November 2006." | |
Altri titoli varianti: | Pulsed capacitance measurement of silicon carbide |
Titolo autorizzato: | Pulsed capacitance measurement of silicon carbide (SiC) Schottky diode and SiC metal oxide semiconductor |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910699339303321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |