Vai al contenuto principale della pagina
Titolo: | Epitaxial crystal silicon absorber layers and solar cells grown at 1.8 microns per minute [[electronic resource] ] : preprint / / David C. Bobela ... [and others] |
Pubblicazione: | [Golden, Colo.] : , : National Renewable Energy Laboratory, , [2011] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (4 pages) : illustrations (some color) |
Soggetto topico: | Solar cells - Design and construction |
Epitaxy | |
Thin films | |
Altri autori: | BobelaDavid C |
Note generali: | Title from title screen (viewed on Aug. 2, 2011). |
"July 2011." | |
"Presented at the 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 37) Seattle, Washington, June 19-24, 2011." | |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 4). |
Altri titoli varianti: | Epitaxial Crystal Silicon Absorber Layers and Solar Cells Grown at 1.8 Microns per Minute |
Titolo autorizzato: | Epitaxial crystal silicon absorber layers and solar cells grown at 1.8 microns per minute |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910703292403321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |