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Autore: | Semendy Fred |
Titolo: | Observation and study of dislocation etch pits in molecular beam epitaxy grown gallium nitride with the use of phosphoric acid and molten potassium hydroxide / / Fred Semendy and Unchal Lee |
Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2007] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (iv, 12 pages) : illustrations (some color) |
Soggetto topico: | Gallium nitride - Etching |
Dislocations in crystals | |
Persona (resp. second.): | LeeUnchul |
Note generali: | Title from title screen (viewed on Dec. 17, 2014). |
"June 2007." | |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 9). |
Titolo autorizzato: | Observation and study of dislocation etch pits in molecular beam epitaxy grown gallium nitride with the use of phosphoric acid and molten potassium hydroxide |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910702704403321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |