高校化学からはじめる半導体 / / 市村正也著

• Pubblicazione: 東京, : オーム社, 2011.3; 東京 : , : オーム社, , 2011
• Descrizione fisica: オンライン資料1件
• Soggetto topico: 半導体
• Classificazione: 549.8
• Altri autori: 市村正也
• Note generali: 参考文献: p195-196
• Nota di contenuto: 紙 -- はじめに -- 目次 -- 第0章 半導体の発 これは物理学 それとも化学 -- 1. 物理学と化学 -- 2. 半導体の発 ではなかったこと -- 3. 半導体の発 -- 4. 半導体とは -- 5. ファラデー後 -- 6. 光伝導 -- 7. ダイオード -- 8. 半導体エレクトロニクス -- 9. 半導体は発 されたか -- 10. バンド理 -- 11. トランジスタ -- 12. 理 と現実 -- 13. 再び 物理学と化学 -- 第1章 校"バケガク"総復習 -- 1-1 物 の成り立ち -- 1-1.1 原子の構 -- 1-1.2 子の性 子力学 物理の復習1) -- 1-1.3 子のエネルギー準位 物理の復習2) -- 1-1.4 子 置と周期 -- 1-1.5 イオン -- 1-1.6 イオン結合とイオン結晶 -- 1-1.7 共有結合 -- 1-1.8 子の と分子・結晶の形 -- 1-1.9 属結合と 属結晶 -- 1-2 物 の変化 -- 1-2.1 化学反応と反応熱 -- 1-2.2 物 の三態と状態図 -- 1-2.3 化学平 の法則 -- 1-2.4 化学平 の法則 つづき) -- 1-2.5 反応 度と活性化エネルギー -- 1-2.6 溶液の性 -- 1-2.7 と塩基 平 -- 1-2.8 中和反応 化 元反応 -- 演習問 -- 第2章 半導体とは何か -- 2-1 半導体とは -- 2-1.1 結合 と反結合 -- 2-1.2 分子から結晶へ バンド構 ) -- 2-1.3 導体と絶縁体 -- 2-1.4 半導体とは -- 2-1.5 子と正孔 -- 2-1.6 有効 -- 2-2 半導体中のキャリア -- 2-2.1 不純物ドーピング -- 2-2.2 子密度と正孔密度の 算 -- 2-2.3 フェルミ準位 -- 2-2.4 ドナー アクセプタのイオン化率とフェルミ・ディラック分布 数 -- 2-2.5 ドナーとアクセプタの分布 数 発展 -- 2-2.6 温度とキャリア密度の 係1 -- 2-2.7 温度とキャリア密度の 係2 発展 -- 2-2.8 実効状態密度の 算 発展 -- 2-3 半導体の性 -- 2-3.1 界による 気伝導 -- 2-3.2 ホール効果 -- 2-3.3 キャリアの拡散 -- 2-3.4 発生と再結合 -- 2-3.5 欠 準位を介した再結合 -- 2-3.6 欠 準位を介した発生 -- 2-3.7 再結合発生の一 的な理 発展 -- 2-3.8 続の式 -- 2-3.9 半導体中の欠 -- 2-3.10 光と半導体 -- 演習問 -- 第3章 半導体は○○からできている -- 3-1 半導体材料 -- 3-1.1 14 Ⅳ 族半導体 C Si Ge Sn -- 3-1.2 シリコン -- 3-1.3 Ⅳ族の混晶半導体と化合物半導体 -- 3-1.4 Ⅲ-Ⅴ族半導体とⅡ-Ⅵ族半導体 -- 3-1.5 カルコパイライト半導体 -- 3-1.6 いろいろな半導体1 硫化物 -- 3-1.7 いろいろな半導体2 化物 -- 3-1.8 いろいろな半導体3 有機物 -- 3-1.9 化合物のドーピングと欠 -- 3-2 半導体の作り方 -- 3-2.1 半導体の作り方1 単結晶ウエーハ -- 3-2.2 半導体の作り方2 液と溶液 エピタキシー -- 3-2.3 半導体の作り方3 気相と真空 -- 3-2.4 半導体の作り方4 気体分子の化学反応 -- 3-2.5 半導体の作り方5 水溶液からの合成法 -- 3-2.6 アモルファス半導体 -- 3-2.7 子井戸構 と 格子 -- 演習問 -- 第4章 半導体デバイスを分析する -- 4-1 pn接合 -- 4-1.1 拡散とポテンシャル差 -- 4-1.2 pn接合の界 で こること -- 4-1.3 pn接合のバンド図 -- 4-1.4 pn接合での 界と 位発展 -- 4-1.5 pn接合でのキャリアの動き -- 4-1.6 pn接合の 流 -- 4-1.7 pn接合の 気容 -- 4-1.8 属半導体接 -- 4-2 トランジスタと光デバイス -- 4-2.1 バイポーラトランジスタ -- 4-2.2 MOS MIS 構 -- 4-2.3 MOS 界効果トランジスタ -- 4-2.4 受光デバイス. ; 4-2.5 太 池 -- 4-2.6 発光ダイオード LED) -- 4-2.7 半導体レーザ -- 演習問 -- 第5章 積回 の作り方 -- 5-1 不純物拡散 -- 5-2 イオン打ち み -- 5-3 化 -- 5-4 エッチング -- 5-5 フォトリソグラフィの原理 -- 5-6 フォトリソグラフィによる 積回 作 -- 5-7 積回 とは -- 演習問 -- 参 文献 -- 演習問 答・ -- 索引 -- 奥付.
• Altri titoli varianti: 半導体 : 高校化学からはじめる
• Titolo autorizzato: 高校化学からはじめる半導体
• ISBN: 4-274-83056-X
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Giapponese
• Record Nr.: 9910148967703321
• Lo trovi qui: Univ. Federico II