{"text_format":"2","workbook":"xls","n_sheets":1,"sheets":["report2"],"not_rendered":{"charts":0,"images":0,"macros":0,"external_links":1,"defined_names":2,"comments":0,"pivot_tables":0},"unopened":[],"bounds":{"document_bytes":16777216,"sheet_cells":100000,"run_cost":"one","rows_first":2000,"rows_last":500,"rows_between":2000,"halvings":0,"cell_chars":16384,"cell_head_chars":4096},"cells_cut":0,"cells_raw":0,"read":"whole","date_system":"1900","formulas":"cached_only"}

{"sheet":"report2","index":0,"n_rows":25,"n_cols":5,"rows_kept":25,"cut":false,"hidden":false,"merged":[[0,2,0,3],[0,4,0,5],[1,2,1,3],[1,4,1,5],[2,2,2,3],[2,4,2,5],[3,2,3,3],[4,2,4,3],[5,2,5,3],[6,2,6,3],[7,2,7,3],[8,2,8,3],[10,2,10,3],[10,4,10,5],[11,2,11,3],[11,4,11,5],[12,2,12,3],[14,2,14,3],[15,2,15,3],[16,2,16,3],[17,2,17,3],[18,2,18,3],[19,2,19,3],[22,2,22,3]],"flags":["formulas_cached_only"]}
[null,"1.","Record Nr.",null,"UNICAMPANIASUN0052732"]
[null,null,"Autore",null,"Lardner, Thomas J."]
[null,null,"Titolo",null,"Mechanics of solids : an introduction / T. J. Lardner, R. R. Archer"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"London ; New York : McGraw-Hill, 1994"]
[null,null,"ISBN",null,"00-7113-448-4"]
[null,null,"Descrizione fisica",null,"XVII, 802 p. : ill. ; 24 cm."]
[null,null,"Disciplina",null,"620.105"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Inglese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,"2.","Record Nr.",null,"UNINA9910148967703321"]
[null,null,"Titolo",null,"高校化学からはじめる半導体 / /  市村正也著"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"東京, : オーム社, 2011.3"]
[{"$nulls":4},"東京 : , : オーム社, , 2011"]
[null,null,"ISBN",null,"4-274-83056-X"]
[null,null,"Descrizione fisica",null,"オンライン資料1件"]
[null,null,"Classificazione",null,"549.8"]
[null,null,"Soggetti",null,"半導体"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Giapponese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Note generali","参考文献: p195-196"]
[null,null,"Nota di contenuto",null,"紙 -- はじめに -- 目次 -- 第0章　半導体の発 これは物理学 それとも化学 -- 1.　物理学と化学 -- 2.　半導体の発  ではなかったこと -- 3.　半導体の発 -- 4.　半導体とは -- 5.　ファラデー後 -- 6.　光伝導 -- 7.　ダイオード -- 8.　半導体エレクトロニクス -- 9.　半導体は発 されたか -- 10.　バンド理 -- 11.　トランジスタ -- 12.　理 と現実 -- 13.　再び 物理学と化学 -- 第1章　 校\"バケガク\"総復習 -- 1-1　物 の成り立ち -- 1-1.1　原子の構 -- 1-1.2　 子の性   子力学 物理の復習1) -- 1-1.3　 子のエネルギー準位 物理の復習2) -- 1-1.4　 子 置と周期 -- 1-1.5　イオン -- 1-1.6　イオン結合とイオン結晶 -- 1-1.7　共有結合 -- 1-1.8　 子の  と分子・結晶の形 -- 1-1.9　 属結合と 属結晶 -- 1-2　物 の変化 -- 1-2.1　化学反応と反応熱 -- 1-2.2　物 の三態と状態図 -- 1-2.3　化学平 の法則 -- 1-2.4　化学平 の法則 つづき) -- 1-2.5　反応 度と活性化エネルギー -- 1-2.6　溶液の性 -- 1-2.7　 と塩基   平 -- 1-2.8　中和反応  化 元反応 -- 演習問 -- 第2章　半導体とは何か -- 2-1　半導体とは -- 2-1.1　結合  と反結合 -- 2-1.2　分子から結晶へ バンド構 ) -- 2-1.3　導体と絶縁体 -- 2-1.4　半導体とは -- 2-1.5　 子と正孔 -- 2-1.6　有効 -- 2-2　半導体中のキャリア -- 2-2.1　不純物ドーピング -- 2-2.2　 子密度と正孔密度の 算 -- 2-2.3　フェルミ準位 -- 2-2.4　ドナー アクセプタのイオン化率とフェルミ・ディラック分布 数 -- 2-2.5　ドナーとアクセプタの分布 数 発展 -- 2-2.6　温度とキャリア密度の 係1 -- 2-2.7　温度とキャリア密度の 係2 発展 -- 2-2.8　実効状態密度の 算 発展 -- 2-3　半導体の性 -- 2-3.1　 界による 気伝導 -- 2-3.2　ホール効果 -- 2-3.3　キャリアの拡散 -- 2-3.4　発生と再結合 -- 2-3.5　欠 準位を介した再結合 -- 2-3.6　欠 準位を介した発生 -- 2-3.7　再結合発生の一 的な理  発展 -- 2-3.8　 続の式 -- 2-3.9　半導体中の欠 -- 2-3.10　光と半導体 -- 演習問 -- 第3章　半導体は○○からできている -- 3-1　半導体材料 -- 3-1.1　14 Ⅳ 族半導体 C Si Ge Sn -- 3-1.2　シリコン -- 3-1.3　Ⅳ族の混晶半導体と化合物半導体 -- 3-1.4　Ⅲ-Ⅴ族半導体とⅡ-Ⅵ族半導体 -- 3-1.5　カルコパイライト半導体 -- 3-1.6　いろいろな半導体1 硫化物 -- 3-1.7　いろいろな半導体2  化物 -- 3-1.8　いろいろな半導体3 有機物 -- 3-1.9　化合物のドーピングと欠 -- 3-2　半導体の作り方 -- 3-2.1　半導体の作り方1 単結晶ウ"]
[{"$nulls":4},"エーハ -- 3-2.2　半導体の作り方2  液と溶液 エピタキシー -- 3-2.3　半導体の作り方3 気相と真空 -- 3-2.4　半導体の作り方4 気体分子の化学反応 -- 3-2.5　半導体の作り方5 水溶液からの合成法 -- 3-2.6　アモルファス半導体 -- 3-2.7　 子井戸構 と 格子 -- 演習問 -- 第4章　半導体デバイスを分析する -- 4-1　pn接合 -- 4-1.1　拡散とポテンシャル差 -- 4-1.2　pn接合の界 で こること -- 4-1.3　pn接合のバンド図 -- 4-1.4　pn接合での 界と 位発展 -- 4-1.5　pn接合でのキャリアの動き -- 4-1.6　pn接合の 流 -- 4-1.7　pn接合の 気容 -- 4-1.8　 属半導体接 -- 4-2　トランジスタと光デバイス -- 4-2.1　バイポーラトランジスタ -- 4-2.2　MOS MIS 構 -- 4-2.3　MOS 界効果トランジスタ -- 4-2.4　受光デバイス."]
[{"$nulls":4},"4-2.5　太  池 -- 4-2.6　発光ダイオード LED) -- 4-2.7　半導体レーザ -- 演習問 -- 第5章　 積回 の作り方 -- 5-1　不純物拡散 -- 5-2　イオン打ち み -- 5-3　 化 -- 5-4　エッチング -- 5-5　フォトリソグラフィの原理 -- 5-6　フォトリソグラフィによる 積回 作 -- 5-7  積回 とは -- 演習問 -- 参 文献 -- 演習問 　 答・ -- 索引 -- 奥付."]