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Autore: | Fu, Mengqi |
Titolo: | Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors : Doctoral Thesis accepted by the Peking University, Beijing, China / Mengqi Fu |
Pubblicazione: | Singapore, : Springer, 2018 |
Titolo uniforme: | Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors |
Descrizione fisica: | xv, 102 p. : ill. ; 24 cm |
Soggetto topico: | 82-XX - Statistical mechanics, structure of matter [MSC 2020] |
78-XX - Optics, electromagnetic theory [MSC 2020] | |
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] | |
Soggetto non controllato: | Crystal orientation |
Crystal phase | |
Electrical properties | |
Electron microscope | |
Field-effect transistors | |
Growth methods | |
In-situ material characterization | |
InAs nanowires | |
Indium Arsenide | |
MBE and MOCVD | |
Ultrathin nanowires | |
Titolo autorizzato: | Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | VAN0212110 |
Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
Localizzazioni e accesso elettronico | http://doi.org/10.1007/978-981-13-3444-3 |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |