Annealing of 22-, 40-, and 158-MeV proton damage in n- and p-type silicon / / by Marvin E. Beatty III and Gerald F. Hill
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| Autore: |
Beatty Marvin E.
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| Titolo: |
Annealing of 22-, 40-, and 158-MeV proton damage in n- and p-type silicon / / by Marvin E. Beatty III and Gerald F. Hill
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| Pubblicazione: | Washington, D.C. : , : National Aeronautics and Space Administration, , April 1969 |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (25 pages) : illustrations |
| Soggetto topico: | Solar cells - Materials - Effect of radiation on |
| Solar cells - Materials - Defects | |
| Extraterrestrial radiation | |
| Silicon - Heat treatment | |
| Silicon - Effect of radiation on | |
| Persona (resp. second.): | HillGerald F. |
| Note generali: | "April 1969." |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 11). |
| Titolo autorizzato: | Annealing of 22-, 40-, and 158-MeV proton damage in n- and p-type silicon |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910713911303321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |