Cryogenic parametric characterization of gallium nitride switches / / Marcelo C. Gonzalez, Lee W. Kohlman, and Andrew J. Trunek
Cryogenic parametric characterization of gallium nitride switches / / Marcelo C. Gonzalez, Lee W. Ko...
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| Autore: |
Gonzalez Marcelo C.
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| Titolo: |
Cryogenic parametric characterization of gallium nitride switches / / Marcelo C. Gonzalez, Lee W. Kohlman, and Andrew J. Trunek
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| Pubblicazione: | Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , October 2018 |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (iii, 26 pages) : color illustrations |
| Soggetto topico: | Field effect transistors |
| Gallium nitrides | |
| Metal oxide semiconductors | |
| Persona (resp. second.): | KohlmanLee W. |
| TrunekAndrew J. | |
| Note generali: | "October 2018." |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 26). |
| Titolo autorizzato: | Cryogenic parametric characterization of gallium nitride switches |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910711565803321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |