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Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets : Doctoral Thesis accepted by The Complutense University of Madrid, Spain / María Ángela Pampillón Arce



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Autore: Pampillón Arce, María Á. Visualizza persona
Titolo: Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets : Doctoral Thesis accepted by The Complutense University of Madrid, Spain / María Ángela Pampillón Arce Visualizza cluster
Pubblicazione: Cham, : Springer, 2017
Titolo uniforme: Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets  
Descrizione fisica: xxiii, 164 p. : ill. ; 24 cm
Soggetto topico: 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
74K35 - Thin films [MSC 2020]
74A50 - Structured surfaces and interfaces, coexistent phases [MSC 2020]
Soggetto non controllato: Gadolinium Oxide
Gadolinium Scandate
High Permittivity Dielectrics
High Pressure Sputtering
InP Substrates
MIS Devices
MOSFET
Plasma Oxidation
Scandium Oxide
Scavenging Effect
Titolo autorizzato: Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: VAN0187568
Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
Localizzazioni e accesso elettronico http://doi.org/10.1007/978-3-319-66607-5
Opac: Controlla la disponibilità qui
Serie: Springer theses : recognizing outstanding Ph.D. research Berlin . -Springer , 2010-