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| Autore: |
Chaudhuri, Reet
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| Titolo: |
Integrated Electronics on Aluminum Nitride : Materials and Devices : Doctoral Thesis accepted by Cornell University, USA / Reet Chaudhuri
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| Pubblicazione: | Cham, : Springer, 2022 |
| Descrizione fisica: | xvi, 255 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico: | 82-XX - Statistical mechanics, structure of matter [MSC 2020] |
| 94-XX - Information and communication theory, circuits [MSC 2020] | |
| Soggetto non controllato: | Aluminum nitride |
| Aluminum nitride heterostructure | |
| Aluminum nitride optoelectronics | |
| Aluminum nitride waveguides | |
| High-frequency communication materials | |
| Integrated RF electronics | |
| RF active devices | |
| Ultra-wide bandgap electronics | |
| Ultra-wide bandgap semiconductor | |
| Titolo autorizzato: | Integrated Electronics on Aluminum Nitride ![]() |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | VAN00283567 |
| Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
| Localizzazioni e accesso elettronico | https://doi.org/10.1007/978-3-031-17199-4 |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |