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Electron traps in p-type GaAsN characterized by deep-level transient spectroscopy [[electronic resource] /] / S.W. Johnston ... [and others]



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Titolo: Electron traps in p-type GaAsN characterized by deep-level transient spectroscopy [[electronic resource] /] / S.W. Johnston ... [and others] Visualizza cluster
Pubblicazione: Golden, Colo. : , : National Renewable Energy Laboratory, , [2005]
Descrizione fisica: 1 volume : digital, PDF file
Soggetto topico: Deep level transient spectroscopy
Metal organic chemical vapor deposition
Altri autori: JohnstonSteven Wade  
Note generali: Title from title screen (viewed on Mar. 30, 2006).
"February 2005."
Titolo autorizzato: Electron traps in p-type GaAsN characterized by deep-level transient spectroscopy  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910698290903321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui