Development of gate and base drive using SiC junction field effect transistors [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin

• Autore: Griffin Timothy E
• Pubblicazione: Adelphi, Md. : , : Army Research Laboratory, , [2008]
• Descrizione fisica: iv, 16 pages : digital, PDF file
• Soggetto topico: Field-effect transistors; Junction transistors
• Note generali: Title from title screen (viewed on May 26, 2009).; "May 2008."
• Titolo autorizzato: Development of gate and base drive using SiC junction field effect transistors
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Inglese
• Record Nr.: 9910698127803321
• Lo trovi qui: Univ. Federico II