Vai al contenuto principale della pagina
| Autore: |
Pengelly Raymond S (Raymond Sydney), <1948->
|
| Titolo: |
Microwave field-effect transistors : theory, design, and applications / / by Raymond S. Pengelly
|
| Pubblicazione: | Atlanta, : Noble, 1994 |
| Edizione: | 3rd ed. |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (704 p.) |
| Disciplina: | 621.381/33 |
| Soggetto topico: | Gallium arsenide semiconductors |
| Metal semiconductor field-effect transistors | |
| Note generali: | Description based upon print version of record. |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references and index. |
| Sommario/riassunto: | This book covers the use of devices in microwave circuits and includes such topics as semiconductor theory and transistor performance, CAD considerations, intermodulation, noise figure, signal handling, S-parameter mapping, narrow- and broadband techniques, packaging and thermal considerations. |
| Altri titoli varianti: | Microwave field effect transistors |
| Titolo autorizzato: | Microwave field-effect transistors ![]() |
| ISBN: | 1-62198-827-9 |
| 1-61353-079-X | |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9911007369103321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |