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Autore: | Beatty Marvin E. |
Titolo: | Changes in minority-carrier lifetime in silicon and gallium arsenide resulting from irradiation with 22- and 40-MeV protons / / by Marvin E. Beatty |
Pubblicazione: | Washington, D.C. : , : National Aeronautics and Space Administration, , February 1969 |
Descrizione fisica: | 1 online resource (25 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Gallium arsenide - Effect of radiation on |
Extraterrestrial radiation | |
Semiconductors - Effect of radiation on | |
Silicon - Effect of radiation on | |
Note generali: | "February 1969." |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (pages 15-16). |
Titolo autorizzato: | Changes in minority-carrier lifetime in silicon and gallium arsenide resulting from irradiation with 22- and 40-MeV protons |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910714046203321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |