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Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga



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Autore: Baliga B. Jayant <1948-> Visualizza persona
Titolo: Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga Visualizza cluster
Pubblicazione: Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica: 1 online resource (320 p.)
Disciplina: 621.3815/284
Soggetto topico: Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Field-effect transistors
Soggetto genere / forma: Electronic books.
Note generali: Description based upon print version of record.
Nota di bibliografia: Includes bibliographical references and index.
Nota di contenuto: Preface; Contents; Chapter 1 Introduction; Chapter 2 RF Power Amplifiers; Chapter 3 MOSFET PHYSICS; Chapter 4 Lateral-Diffused MOSFETs; Chapter 5 Vertical-Diffused MOSFETs; Chapter 6 Charge-Coupled MOSFETs; Chapter 7 Super-Linear MOSFETs; Chapter 8 Planar Super-Linear MOSFETs; Chapter 9 Dual Trench MOSFETs; Chapter 10 Hot Carrier Injection Instability; Chapter 11 Synopsis; Appendix; Index
Sommario/riassunto: The world-wide proliferation of cellular networks has revolutionizedtelecommunication systems. The transition from Analog to Digital RFtechnology enabled substantial increase in voice traffic usingavailable spectrum, and subsequently the delivery of digitally basedtext messaging, graphics and even streaming video.
Titolo autorizzato: Silicon RF power MOSFETS  Visualizza cluster
ISBN: 1-281-88100-7
9786611881009
981-256-932-4
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910450185403321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui