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Autore: | Shin, Changhwan |
Titolo: | Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin |
Pubblicazione: | Dordrecht, : Springer, 2016 |
Titolo uniforme: | Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM |
Descrizione fisica: | vii, 140 p. : ill. ; 24 cm |
Soggetto topico: | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
Soggetto non controllato: | CMOS Device Designs |
Integrated circuits | |
Line Edge Roughness | |
MOSFET | |
Process-Induced Random Variation | |
Random Dopant Fluctuation | |
Static Random Access Memory | |
Variation-Robust CMOS | |
Work-function Variation | |
Titolo autorizzato: | Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | VAN0177812 |
Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
Localizzazioni e accesso elettronico | http://doi.org/10.1007/978-94-017-7597-7 |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |