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Integrated Electronics on Aluminum Nitride : Materials and Devices : Doctoral Thesis accepted by Cornell University, USA / Reet Chaudhuri



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Autore: Chaudhuri, Reet Visualizza persona
Titolo: Integrated Electronics on Aluminum Nitride : Materials and Devices : Doctoral Thesis accepted by Cornell University, USA / Reet Chaudhuri Visualizza cluster
Pubblicazione: Cham, : Springer, 2022
Descrizione fisica: xvi, 255 p. : ill. ; 24 cm
Soggetto topico: 82-XX - Statistical mechanics, structure of matter [MSC 2020]
94-XX - Information and communication theory, circuits [MSC 2020]
Soggetto non controllato: Aluminum nitride
Aluminum nitride heterostructure
Aluminum nitride optoelectronics
Aluminum nitride waveguides
High-frequency communication materials
Integrated RF electronics
RF active devices
Ultra-wide bandgap electronics
Ultra-wide bandgap semiconductor
Titolo autorizzato: Integrated Electronics on Aluminum Nitride  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: VAN00283567
Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
Localizzazioni e accesso elettronico https://doi.org/10.1007/978-3-031-17199-4
Opac: Controlla la disponibilità qui
Serie: Springer theses : recognizing outstanding Ph.D. research Berlin . -Springer , 2010-