In Situ oxidation of Y?O?-doped Si?N? / / N. J. Tighe; K. Kuroda; T. E. Mitchell; A. H. Heuer

• Autore: Tighe N. J
• Pubblicazione: Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1980
• Descrizione fisica: 1 online resource
• Altri autori: HeuerA. H KurodaK (Kazuaki) MitchellT. E TigheN. J
• Note generali: 1980.; Contributed record: Metadata reviewed, not verified. Some fields updated by batch processes.; Title from PDF title page.
• Nota di bibliografia: Includes bibliographical references.
• Titolo autorizzato: In Situ oxidation of Y?O?-doped Si?N
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Inglese
• Record Nr.: 9910710231803321
• Lo trovi qui: Univ. Federico II