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Titolo: | GaAs high breakdown voltage front and back side processed Schottky detectors for x-ray detection [[electronic resource] /] / Fred Semendy ... [and others] |
Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2007] |
Descrizione fisica: | iv, 13 pages : digital, PDF file |
Soggetto topico: | Semiconductors |
Silicon carbide - Electric properties | |
Gallium nitride - Electric properties | |
Altri autori: | SemendyFred |
Note generali: | Title from title screen (viewed March 5, 2009). |
"November 2007." | |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (pages 10-11). |
Titolo autorizzato: | GaAs high breakdown voltage front and back side processed Schottky detectors for x-ray detection |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910698194203321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |