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| Titolo: |
GaAs high breakdown voltage front and back side processed Schottky detectors for x-ray detection [[electronic resource] /] / Fred Semendy ... [and others]
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| Pubblicazione: | Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2007] |
| Descrizione fisica: | iv, 13 pages : digital, PDF file |
| Soggetto topico: | Semiconductors |
| Silicon carbide - Electric properties | |
| Gallium nitride - Electric properties | |
| Altri autori: |
SemendyFred
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| Note generali: | Title from title screen (viewed March 5, 2009). |
| "November 2007." | |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (pages 10-11). |
| Titolo autorizzato: | GaAs high breakdown voltage front and back side processed Schottky detectors for x-ray detection ![]() |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910698194203321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |