Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin
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| Autore: |
Shin, Changhwan
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| Titolo: |
Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin
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| Pubblicazione: | Dordrecht, : Springer, 2016 |
| Titolo uniforme: | Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM |
| Descrizione fisica: | vii, 140 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico: | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato: | CMOS Device Designs |
| Integrated circuits | |
| Line Edge Roughness | |
| MOSFET | |
| Process-Induced Random Variation | |
| Random Dopant Fluctuation | |
| Static Random Access Memory | |
| Variation-Robust CMOS | |
| Work-function Variation | |
| Titolo autorizzato: | Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | VAN0177812 |
| Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
| Localizzazioni e accesso elettronico | http://doi.org/10.1007/978-94-017-7597-7 |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
Springer series in advanced microelectronics Berlin [etc.] . -Springer ; 56