Tunneling Field Effect Transistor Technology / Lining Zhang, Mansun Chan editors

• Pubblicazione: Cham, : Springer, 2016
• Descrizione fisica: ix, 213 p. ; 24 cm
• Persona (resp. second.): Chan, Mansun; Zhang, Lining
• Titolo autorizzato: Tunneling Field Effect Transistor Technology
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Inglese
• Record Nr.: VAN0121196
• Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
• Localizzazioni e accesso elettronico: http://link.springer.com/openurl?genre=book&isbn=978-3-319-31653-6