Vai al contenuto principale della pagina
| Autore: |
Tsividis, Yannis
|
| Titolo: |
Operation and modeling of the MOS transistor / Yannis Tsividis
|
| Pubblicazione: | Boston : WCB/McGraw-Hill, c1999 |
| Edizione: | 2nd ed |
| Descrizione fisica: | xx, 620 p. : ill. ; 24 cm |
| Disciplina: | 621.3815 |
| Soggetto topico: | Metal oxide semiconductors - Mathematical models |
| Metal oxide semiconductor field-effect transistors - Mathematical models | |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references and index |
| ISBN: | 0070655235 |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 991001315779707536 |
| Lo trovi qui: | Univ. del Salento |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |