表面新物質創製 / / 日本表面科学会編

• Pubblicazione: 東京, : 共立出版, 2011.9
• Descrizione fisica: オンライン資料1件
• Soggetto topico: 表面物理学; 表面(工学)
• Classificazione: 428.4; 501.2
• Note generali: 担当編集幹事: 白石賢二; 文献: 章末
• Nota di contenuto: 表紙 -- 口絵 -- 現代表面科学シリーズ編集委員会 -- シリーズ刊行にあたって -- まえがき -- 担当編集委員 -- 目次 -- 第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 -- 1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 -- 1.1.1 はじめに -- 1.1.2 Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長 -- 1.1.3 透過型電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察 -- 1.1.4 hut cluster上Geマクロアイランドの成長過程 -- 1.1.5 アイランド化を誘引する成長欠陥の多様性 -- 1.1.6 アイランド化機構の成長温度依存性 -- 1.1.7 Si(001)表面上Ge成長のその場反射高速電子線回折 -- 1.1.8 Si(001)表面上Geアイランドの形成メカニズム -- 1.1.9 まとめ -- 1.2 高規則化刃状転位ネットワーク形成による柊一歪Si1-xGex・Ge層の創製 -- 1.2.1 はじめに -- 1.2.2 歪系ヘテロ界面における転位制御の意義 -- 1.2.3 60°転位と刃状転位 -- 1.2.4 ヘテロ界面における転位構造の変換と歪緩和制御 -- 1.2.5 歪緩和Si1-xGex層における局所領域微細構造の評価 -- 1.2.6 刃状転位ネットワークの有効性 -- 1.2.7 まとめ -- 1.3 GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 -- 1.3.1 はじめに -- 1.3.2 HVPEによるエピタキシャル横方向成長 -- 1.3.3 サファイアc面上GaN層中の貫通転位 -- 1.3.4 ELO-GaN膜中の転位・欠陥構造 -- 1.3.5 ELO初期の転位形態 -- 1.3.6 ELO-GaN膜の表面形態と成長様式 -- 1.3.7 転位が曲がるメカニズム -- 1.3.8 ELO中期の転位形態 -- 1.3.9 自己組織的転位伝播のメカニズム -- 1.3.10 マスク上欠陥形成と転位低減機構 -- 1.3.11 まとめ -- 引用・参考文献 -- 第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 -- 2.1 原子操作による表面物質創製 -- 2.1.1 はじめに -- 2.1.2 原子操作創成期(1980年代) -- 2.1.3 原子操作の確立(1989年～) -- 2.1.4 機能創出(1990年代より) -- 2.1.5 化学反応(ナノケミストリ) -- 2.1.6 AFMによる原子操作の実現 -- 2.1.7 原子操作の将来像 -- 2.1.8 おわりに -- 2.2 原子操作による導電性分子デバイス -- 2.2.1 はじめに -- 2.2.2 分子配線材料と導電性高分子 -- 2.2.3 分子配線1本の電気物性測定法の確立 -- 2.2.4 導電性高分子1本の電気物性測定 -- 2.2.5 SPMを分子カッターとして利用した1本レベルの特性評価 -- 2.2.6 導電性ナノファイバー1本レベルでの電子機能計測 -- 2.2.7 おわりに -- 引用・参考文献 -- 第3章 自己組織化によるナノワイヤ,ナノドット形成 -- 3.1 VLS法によるナノワイヤ成長 -- 3.1.1 はじめに -- 3.1.2 VLS成長法 -- 3.1.3 ナノワイヤの結晶構造 -- 3.1.4 ナノワイヤのヘテロ構造 -- 3.1.5 ナノワイヤの成長 -- 3.1.6 おわりに -- 3.2 シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造,3次元構造 -- 3.2.1 シリコン(Si)基板上III-V族半導体成長 -- 3.2.2 ヘテロ構造で3次元デバイス -- 3.2.3 実験 -- 3.2.4 軸方向のヘテロ構造による曲がったナノワイヤ -- 3.2.5 動径方向のヘテロ構造によるコア-マルチシェルナノワイヤ -- 3.2.6 長波長帯発光のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤ -- 3.2.7 おわりに -- 3.3 生体物質を用いた金属ナノドット形成 -- 3.3.1 はじめに -- 3.3.2 タンパク質バイオテンプレートとナノ粒子 -- 3.3.3 フェリチンタンパク質とリステリアDpsタンパク質を用いたナノ粒子の作製 -- 3.3.4 応用展開および将来展望. ; 3.4 自己組織化による界面のデザイン:有機膜形成 -- 3.4.1 はじめに -- 3.4.2 アルカンチオールSAMの基本特性 -- 3.4.3 機能性自己組織化膜の基本特性 -- 3.4.4 機能性自己組織化膜の応用 -- 引用・参考文献 -- 第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 -- 4.1 基板表面上のグラフェンの創製 -- 4.1.1 グラフェン -- 4.1.2 金属表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.3 SiC表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.4 SiC(0001)表面上でのエピタキシャルグラフェン成長の実際 -- 4.2 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 -- 4.2.1 単層カーボンナノチューブの成長 -- 4.2.2 表面原子列による配列制御 -- 4.2.3 原子ステップによる配列制御 -- 4.2.4 表面構造物を利用した自己組織化成長 -- 引用・参考文献 -- 索引 -- 奥付.
• Titolo autorizzato: 表面新物質創製
• ISBN: 4-320-98542-7; 4-320-98377-7
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Giapponese
• Record Nr.: 9910149611903321
• Lo trovi qui: Univ. Federico II
• Serie: 現代表面科学シリーズ