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{"sheet":"report2","index":0,"n_rows":46,"n_cols":5,"rows_kept":46,"cut":false,"hidden":false,"merged":[[0,2,0,3],[0,4,0,5],[1,2,1,3],[1,4,1,5],[2,2,2,3],[2,4,2,5],[3,2,3,3],[4,2,4,3],[9,2,9,3],[10,2,10,3],[11,2,11,3],[19,2,19,3],[20,2,20,3],[24,2,24,3],[26,2,26,3],[26,4,26,5],[27,2,27,3],[27,4,27,5],[28,2,28,3],[30,2,30,3],[32,2,32,3],[33,2,33,3],[34,2,34,3],[36,2,36,3],[38,2,38,3],[39,2,39,3],[43,2,43,3]],"flags":["formulas_cached_only"]}
[null,"1.","Record Nr.",null,"UNINA9910777768803321"]
[null,null,"Autore",null,"Montgomery Kathryn C"]
[null,null,"Titolo",null,"Generation digital : politics, commerce, and childhood in the age of the internet / / Kathryn C. Montgomery"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"Cambridge, MA, : MIT Press, ©2007"]
[null,null,"ISBN",null,"0-262-26389-0"]
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[null,null,"Descrizione fisica",null,"1 online resource (364 p.)"]
[null,null,"Disciplina",null,"303.48/330830973"]
[null,null,"Soggetti",null,"Mass media and children"]
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[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Inglese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Note generali","Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph"]
[null,null,null,"Nota di bibliografia","Includes bibliographical references (p. [227]-320) and index."]
[null,null,"Nota di contenuto",null,"At the center of a cultural storm -- Digital kids -- A V-chip for the Internet -- Web of deception -- Born to be wired -- Social marketing in the new millennium -- Peer-to-peer politics -- The legacy of the digital generation."]
[null,null,null,"Sommario/riassunto","The role that children and youth play in the emerging digital media culture-as consumers targeted by marketing campaigns, as creators of their own digital culture, and as political participants."]
[null,"2.","Record Nr.",null,"UNINA9910149611903321"]
[null,null,"Titolo",null,"表面新物質創製 / /  日本表面科学会編"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"東京, : 共立出版, 2011.9"]
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[null,null,"ISBN",null,"4-320-98542-7"]
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[null,null,"Descrizione fisica",null,"オンライン資料1件"]
[null,null,"Collana",null,"現代表面科学シリーズ / 日本表面科学会編 ; 4"]
[null,null,"Classificazione",null,"428.4"]
[{"$nulls":4},"501.2"]
[null,null,"Soggetti",null,"表面物理学"]
[{"$nulls":4},"表面(工学)"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Giapponese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Note generali","担当編集幹事: 白石賢二"]
[{"$nulls":4},"文献: 章末"]
[null,null,"Nota di contenuto",null,"表紙 -- 口絵 -- 現代表面科学シリーズ編集委員会 -- シリーズ刊行にあたって -- まえがき -- 担当編集委員 -- 目次 -- 第1章　欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 -- 1.1　Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 -- 1.1.1　はじめに -- 1.1.2　Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長 -- 1.1.3　透過型電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察 -- 1.1.4　hut cluster上Geマクロアイランドの成長過程 -- 1.1.5　アイランド化を誘引する成長欠陥の多様性 -- 1.1.6　アイランド化機構の成長温度依存性 -- 1.1.7　Si(001)表面上Ge成長のその場反射高速電子線回折 -- 1.1.8　Si(001)表面上Geアイランドの形成メカニズム -- 1.1.9　まとめ -- 1.2　高規則化刃状転位ネットワーク形成による柊一歪Si1-xGex・Ge層の創製 -- 1.2.1　はじめに -- 1.2.2　歪系ヘテロ界面における転位制御の意義 -- 1.2.3　60°転位と刃状転位 -- 1.2.4　ヘテロ界面における転位構造の変換と歪緩和制御 -- 1.2.5　歪緩和Si1-xGex層における局所領域微細構造の評価 -- 1.2.6　刃状転位ネットワークの有効性 -- 1.2.7　まとめ -- 1.3　GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 -- 1.3.1　はじめに -- 1.3.2　HVPEによるエピタキシャル横方向成長 -- 1.3.3　サファイアc面上GaN層中の貫通転位 -- 1.3.4　ELO-GaN膜中の転位・欠陥構造 -- 1.3.5　ELO初期の転位形態 -- 1.3.6　ELO-GaN膜の表面形態と成長様式 -- 1.3.7　転位が曲がるメカニズム -- 1.3.8　ELO中期の転位形態 -- 1.3.9　自己組織的転位伝播のメカニズム -- 1.3.10　マスク上欠陥形成と転位低減機構 -- 1.3.11　まとめ -- 引用・参考文献 -- 第2章　走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 -- 2.1　原子操作による表面物質創製 -- 2.1.1　はじめに -- 2.1.2　原子操作創成期(1980年代) -- 2.1.3　原子操作の確立(1989年～) -- 2.1.4　機能創出(1990年代より) -- 2.1.5　化学反応(ナノケミストリ) -- 2.1.6　AFMによる原子操作の実現 -- 2.1.7　原子操作の将来像 -- 2.1.8　おわりに -- 2.2　原子操作による導電性分子デバイス -- 2.2.1　はじめに -- "]
[{"$nulls":4},"2.2.2　分子配線材料と導電性高分子 -- 2.2.3　分子配線1本の電気物性測定法の確立 -- 2.2.4　導電性高分子1本の電気物性測定 -- 2.2.5　SPMを分子カッターとして利用した1本レベルの特性評価 -- 2.2.6　導電性ナノファイバー1本レベルでの電子機能計測 -- 2.2.7　おわりに -- 引用・参考文献 -- 第3章　自己組織化によるナノワイヤ,ナノドット形成 -- 3.1　VLS法によるナノワイヤ成長 -- 3.1.1　はじめに -- 3.1.2　VLS成長法 -- 3.1.3　ナノワイヤの結晶構造 -- 3.1.4　ナノワイヤのヘテロ構造 -- 3.1.5　ナノワイヤの成長 -- 3.1.6　おわりに -- 3.2　シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造,3次元構造 -- 3.2.1　シリコン(Si)基板上III-V族半導体成長 -- 3.2.2　ヘテロ構造で3次元デバイス -- 3.2.3　実験 -- 3.2.4　軸方向のヘテロ構造による曲がったナノワイヤ -- 3.2.5　動径方向のヘテロ構造によるコア-マルチシェルナノワイヤ -- 3.2.6　長波長帯発光のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤ -- 3.2.7　おわりに -- 3.3　生体物質を用いた金属ナノドット形成 -- 3.3.1　はじめに -- 3.3.2　タンパク質バイオテンプレートとナノ粒子 -- 3.3.3　フェリチンタンパク質とリステリアDpsタンパク質を用いたナノ粒子の作製 -- 3.3.4　応用展開および将来展望."]
[{"$nulls":4},"3.4　自己組織化による界面のデザイン:有機膜形成 -- 3.4.1　はじめに -- 3.4.2　アルカンチオールSAMの基本特性 -- 3.4.3　機能性自己組織化膜の基本特性 -- 3.4.4　機能性自己組織化膜の応用 -- 引用・参考文献 -- 第4章　表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 -- 4.1　基板表面上のグラフェンの創製 -- 4.1.1　グラフェン -- 4.1.2　金属表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.3　SiC表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.4　SiC(0001)表面上でのエピタキシャルグラフェン成長の実際 -- 4.2　表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 -- 4.2.1　単層カーボンナノチューブの成長 -- 4.2.2　表面原子列による配列制御 -- 4.2.3　原子ステップによる配列制御 -- 4.2.4　表面構造物を利用した自己組織化成長 -- 引用・参考文献 -- 索引 -- 奥付."]