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Correlation of EBIC and SWBXT imaged defects and epilayer growth pits in 6H-SiC Schottky diodes
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Correlation of EBIC and SWBXT imaged defects and epilayer growth pits in 6H-SiC Schottky diodes
ID:
3475353
Creatori:
(1403200) Schnabel C. M.
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