The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
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| Autore: |
Li, Zhiqiang
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| Titolo: |
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
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| Pubblicazione: | Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 |
| Titolo uniforme: | The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices |
| Descrizione fisica: | xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico: | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| 74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020] | |
| Soggetto non controllato: | Contact resistance |
| Dopant activation | |
| Dopant segregation | |
| Germanium-based MOSFET | |
| MOS device | |
| Nickel germanide | |
| Source and drain | |
| Thermal stability | |
| Titolo autorizzato: | Source |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | VAN00157189 |
| Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
| Localizzazioni e accesso elettronico | http://doi.org/10.1007/978-3-662-49683-1 |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
Springer theses : recognizing outstanding Ph.D. research Berlin . -Springer , 2010-