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The insaulated gate bipolar transistor : IGBT : theory and design / Vinod Kumar Khanna



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Autore: Khanna, Vinod Kumar Visualizza persona
Titolo: The insaulated gate bipolar transistor : IGBT : theory and design / Vinod Kumar Khanna Visualizza cluster
Pubblicazione: Piscataway, NJ : IEEE
Hoboken, NJ : Wiley-Interscience, ©2003
Descrizione fisica: xix, 627 p. : ill. ; 25 cm
Disciplina: 621.3815'282
Soggetto non controllato: Transistor IGBT
IGBT
Titolo autorizzato: Insaulated gate bipolar transistor  Visualizza cluster
ISBN: 978-0-471-23845-4
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 990009571170403321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Collocazione: 10 E I 435
Opac: Controlla la disponibilità qui