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Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra



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Autore: Niedra Janis M Visualizza persona
Titolo: Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra Visualizza cluster
Pubblicazione: Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , [2006]
Descrizione fisica: 1 online resource (6 pages) : illustrations
Soggetto topico: Junction transistors
High temperature
Bipolar transistors
Switching
Static loads
Electric potential
Note generali: Title from title screen (viewed on Oct. 20, 2010).
"November 2006."
Titolo autorizzato: Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910699314303321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Serie: NASA contractor report ; ; NASA CR-214257.