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Autore: |
Niedra Janis M
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Titolo: |
Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra
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Pubblicazione: | Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , [2006] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (6 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Junction transistors |
High temperature | |
Bipolar transistors | |
Switching | |
Static loads | |
Electric potential | |
Note generali: | Title from title screen (viewed on Oct. 20, 2010). |
"November 2006." | |
Titolo autorizzato: | Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C ![]() |
Formato: | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910699314303321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |