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| Autore: |
Lundstrom, Mark S.
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| Titolo: |
Nanoscale transistors : device physics, modeling and simulation / Mark S. Lundstrom, Jing Guo
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| Pubblicazione: | New York : Springer, 2006 |
| Descrizione fisica: | vi, 217 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto non controllato: | Nanofisica |
| Altri autori: |
Guo, Jing <1977- >
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| Titolo autorizzato: | Nanoscale transistors ![]() |
| ISBN: | 978-0-387-28002-8 |
| 0-387-28002-2 | |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 990009439660403321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Collocazione: | 32G-020 |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |