Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
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| Autore: |
Nosaeva Ksenia
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| Titolo: |
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
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| Pubblicazione: | Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
| ©2016 | |
| Edizione: | 1. Auflage. |
| Descrizione fisica: | 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
| Disciplina: | 621.3815284 |
| Soggetto topico: | Modulation-doped field-effect transistors |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references. |
| Titolo autorizzato: | Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz |
| ISBN: | 3-7369-8287-9 |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910821367203321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |