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Autore: |
Wan, Changjin
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Titolo: |
Electric-Double-Layer Coupled Oxide-Based Neuromorphic Transistors Studies / Changjin Wan
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Pubblicazione: | Singapore, : Springer, 2019 |
Descrizione fisica: | XXI, 107 p. : ill. ; 24 cm |
Disciplina: | 621.36(Ingegneria ottica. Ottica applicata) |
530.41(Fisica dello stato solido) | |
620.1(Scienze dei materiali) | |
621.3815(Componenti e circuiti) | |
612.8233(Neuroscienza cognitiva) | |
Titolo autorizzato: | Electric-Double-Layer Coupled Oxide-Based Neuromorphic Transistors Studies ![]() |
Formato: | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | VAN0125961 |
Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
Localizzazioni e accesso elettronico | https://link.springer.com/book/10.1007/978-981-13-3314-9 |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |