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| Autore: |
Mayo Santos
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| Titolo: |
Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films / / Santos Mayo; William H. Evans
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| Pubblicazione: | Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1979 |
| Descrizione fisica: | 1 online resource |
| Altri autori: |
EvansWilliam H
MayoSantos
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| Note generali: | 1979. |
| Contributed record: Metadata reviewed, not verified. Some fields updated by batch processes. | |
| Title from PDF title page. | |
| Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references. |
| Titolo autorizzato: | Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films ![]() |
| Formato: | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | 9910709910303321 |
| Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |