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Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films / / Santos Mayo; William H. Evans



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Autore: Mayo Santos Visualizza persona
Titolo: Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films / / Santos Mayo; William H. Evans Visualizza cluster
Pubblicazione: Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1979
Descrizione fisica: 1 online resource
Altri autori: EvansWilliam H  
MayoSantos  
Note generali: 1979.
Contributed record: Metadata reviewed, not verified. Some fields updated by batch processes.
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Nota di bibliografia: Includes bibliographical references.
Titolo autorizzato: Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films  Visualizza cluster
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910709910303321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui