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Intrinsic Structures and Properties of Energetic Materials / Chaoyang Zhang, Jing Huang, Rupeng Bu
| Intrinsic Structures and Properties of Energetic Materials / Chaoyang Zhang, Jing Huang, Rupeng Bu |
| Autore | Zhang, Chaoyang |
| Pubbl/distr/stampa | Singapore, : Springer ; Beijing, : Science, 2023 |
| Descrizione fisica | xviii, 458 p. : ill. ; 24 cm |
| Altri autori (Persone) |
Bu, Rupeng
Huang, Jing |
| Soggetto topico |
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
81V45 - Atomic physics [MSC 2020] 81V55 - Molecular physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
Crystal Engineering
Energetic Crystal Energetic Molecule Impact Sensitivity Intrinsic Structure Molecular Stacking Quantitative Structure-Pharmacokinetics Relationship Thermal stability |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN00285584 |
Zhang, Chaoyang
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| Singapore, : Springer ; Beijing, : Science, 2023 | ||
| Materiale a stampa | ||
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Phonon Thermal Transport in Silicon-Based Nanomaterials / Hai-Peng Li, Rui-Qin Zhang
| Phonon Thermal Transport in Silicon-Based Nanomaterials / Hai-Peng Li, Rui-Qin Zhang |
| Autore | Li, Hai-Peng |
| Pubbl/distr/stampa | Singapore, : Springer, 2018 |
| Descrizione fisica | x, 86 p. : ill. ; 24 cm |
| Altri autori (Persone) | Zhang, Rui-Qin |
| Soggetto topico |
82-XX - Statistical mechanics, structure of matter [MSC 2020]
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
Isotope doping
Phonon Silicene Silicon nanoclusters Silicon nanowires Size effect Surface effect Thermal Conductivity Thermal stability Vacancy defects |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN0212755 |
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Li, Hai-Peng
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| Singapore, : Springer, 2018 | ||
| Materiale a stampa | ||
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Phonon Thermal Transport in Silicon-Based Nanomaterials / Hai-Peng Li, Rui-Qin Zhang
| Phonon Thermal Transport in Silicon-Based Nanomaterials / Hai-Peng Li, Rui-Qin Zhang |
| Autore | Li, Hai-Peng |
| Pubbl/distr/stampa | Singapore, : Springer, 2018 |
| Descrizione fisica | x, 86 p. : ill. ; 24 cm |
| Altri autori (Persone) | Zhang, Rui-Qin |
| Soggetto topico |
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
82-XX - Statistical mechanics, structure of matter [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
Isotope doping
Phonon Silicene Silicon nanoclusters Silicon nanowires Size effect Surface effect Thermal Conductivity Thermal stability Vacancy defects |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN00212755 |
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Li, Hai-Peng
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| Singapore, : Springer, 2018 | ||
| Materiale a stampa | ||
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
| The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li |
| Autore | Li, Zhiqiang |
| Pubbl/distr/stampa | Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 |
| Descrizione fisica | xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico |
74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020]
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
Contact resistance
Dopant activation Dopant segregation Germanium-based MOSFET MOS device Nickel germanide Source and drain Thermal stability |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN0157189 |
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Li, Zhiqiang
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| Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 | ||
| Materiale a stampa | ||
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
| The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li |
| Autore | Li, Zhiqiang |
| Pubbl/distr/stampa | Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 |
| Descrizione fisica | xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico |
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
Contact resistance
Dopant activation Dopant segregation Germanium-based MOSFET MOS device Nickel germanide Source and drain Thermal stability |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN00157189 |
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Li, Zhiqiang
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| Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 | ||
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