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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
Autore Li, Zhiqiang
Pubbl/distr/stampa Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016
Descrizione fisica xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm
Soggetto topico 74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020]
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
Soggetto non controllato Contact resistance
Dopant activation
Dopant segregation
Germanium-based MOSFET
MOS device
Nickel germanide
Source and drain
Thermal stability
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Titolo uniforme
Record Nr. UNICAMPANIA-VAN0157189
Li, Zhiqiang  
Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
Opac: Controlla la disponibilità qui
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li
Autore Li, Zhiqiang
Pubbl/distr/stampa Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016
Descrizione fisica xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm
Soggetto topico 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020]
Soggetto non controllato Contact resistance
Dopant activation
Dopant segregation
Germanium-based MOSFET
MOS device
Nickel germanide
Source and drain
Thermal stability
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Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Titolo uniforme
Record Nr. UNICAMPANIA-VAN00157189
Li, Zhiqiang  
Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016
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