The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li |
Autore | Li, Zhiqiang |
Pubbl/distr/stampa | Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 |
Descrizione fisica | xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm |
Soggetto topico |
74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020]
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
Soggetto non controllato |
Contact resistance
Dopant activation Dopant segregation Germanium-based MOSFET MOS device Nickel germanide Source and drain Thermal stability |
Formato | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Titolo uniforme | |
Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN0157189 |
Li, Zhiqiang | ||
Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 | ||
Materiale a stampa | ||
Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli | ||
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices : Doctoral Thesis accepted by Peking University, Beijing, China / Zhiqiang Li |
Autore | Li, Zhiqiang |
Pubbl/distr/stampa | Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 |
Descrizione fisica | xiv, 59 p. : ill. ; 24 cm |
Soggetto topico |
00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020]
74Axx - Generalities, axiomatics, foundations of continuum mechanics of solids [MSC 2020] |
Soggetto non controllato |
Contact resistance
Dopant activation Dopant segregation Germanium-based MOSFET MOS device Nickel germanide Source and drain Thermal stability |
Formato | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Titolo uniforme | |
Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN00157189 |
Li, Zhiqiang | ||
Berlin ; Heidelberg, : Springer, 2016 | ||
Materiale a stampa | ||
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