Advanced SPICE model for GaN HEMTs (ASM-HEMT) : a new industry-standard compact model for GaN-based power and RF circuit design / / Sourabh Khandelwal |
Autore | Khandelwal Sourabh |
Pubbl/distr/stampa | Cham, Switzerland : , : Springer, , [2022] |
Descrizione fisica | 1 online resource (194 pages) |
Disciplina | 621.3815284 |
Soggetto topico |
Modulation-doped field-effect transistors
Radio frequency integrated circuits Semiconductors |
ISBN |
9783030777302
9783030777296 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Record Nr. | UNINA-9910523725103321 |
Khandelwal Sourabh
![]() |
||
Cham, Switzerland : , : Springer, , [2022] | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|
HEMT technology and applications / / editors, Trupti Ranjan Lenka, Hieu Pham Trung Nguyen |
Pubbl/distr/stampa | Singapore : , : Springer, , [2023] |
Descrizione fisica | 1 online resource (246 pages) |
Disciplina | 621.3815284 |
Collana | Springer tracts in mechanical engineering |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
ISBN | 981-19-2165-2 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Record Nr. | UNINA-9910627239303321 |
Singapore : , : Springer, , [2023] | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|
IEEE Recommended Practices for Modulating Current in High-Brightness LEDs for Mitigating Health Risks to Viewers / / IEEE |
Pubbl/distr/stampa | New York, N.Y. : , : IEEE, , 2015 |
Descrizione fisica | 1 online resource (x, 66 pages) : illustrations |
Disciplina | 621.3 |
Collana | IEEE Std |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
ISBN | 0-7381-9644-4 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Altri titoli varianti | IEEE Std 1789-2015: IEEE Recommended Practices for Modulating Current in High-Brightness LEDs for Mitigating Health Risks to Viewers |
Record Nr. | UNISA-996278282903316 |
New York, N.Y. : , : IEEE, , 2015 | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. di Salerno | ||
|
IEEE Recommended Practices for Modulating Current in High-Brightness LEDs for Mitigating Health Risks to Viewers / / IEEE |
Pubbl/distr/stampa | New York, N.Y. : , : IEEE, , 2015 |
Descrizione fisica | 1 online resource (x, 66 pages) : illustrations |
Disciplina | 621.3 |
Collana | IEEE Std |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
ISBN | 0-7381-9644-4 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Altri titoli varianti | IEEE Std 1789-2015: IEEE Recommended Practices for Modulating Current in High-Brightness LEDs for Mitigating Health Risks to Viewers |
Record Nr. | UNINA-9910136020703321 |
New York, N.Y. : , : IEEE, , 2015 | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva |
Autore | Nosaeva Ksenia |
Edizione | [1. Auflage.] |
Pubbl/distr/stampa | Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
Descrizione fisica | 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
Disciplina | 621.3815284 |
Collana | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
Soggetto genere / forma | Electronic books. |
ISBN | 3-7369-8287-9 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Record Nr. | UNINA-9910511640503321 |
Nosaeva Ksenia
![]() |
||
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva |
Autore | Nosaeva Ksenia |
Edizione | [1. Auflage.] |
Pubbl/distr/stampa | Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
Descrizione fisica | 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
Disciplina | 621.3815284 |
Collana | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
ISBN | 3-7369-8287-9 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Record Nr. | UNINA-9910794942703321 |
Nosaeva Ksenia
![]() |
||
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva |
Autore | Nosaeva Ksenia |
Edizione | [1. Auflage.] |
Pubbl/distr/stampa | Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
Descrizione fisica | 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
Disciplina | 621.3815284 |
Collana | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik |
Soggetto topico | Modulation-doped field-effect transistors |
ISBN | 3-7369-8287-9 |
Formato | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Record Nr. | UNINA-9910821367203321 |
Nosaeva Ksenia
![]() |
||
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 | ||
![]() | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
|