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ANSI/IEEE Std 641-1987 / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
ANSI/IEEE Std 641-1987 / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
Pubbl/distr/stampa [Place of publication not identified] : , : IEEE, , 1988
Descrizione fisica 1 online resource (33 pages)
Disciplina 621.3815284
Soggetto topico Field-effect transistors
ISBN 0-7381-4235-2
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Altri titoli varianti ANSI/IEEE Std 641-1987: IEEE Standard Definitions and Characterization of Metal Nitride Oxide Semiconductor Arrays
Record Nr. UNINA-9910135267403321
[Place of publication not identified] : , : IEEE, , 1988
Materiale a stampa
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Opac: Controlla la disponibilità qui
ANSI/IEEE Std 641-1987 / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
ANSI/IEEE Std 641-1987 / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
Pubbl/distr/stampa [Place of publication not identified] : , : IEEE, , 1988
Descrizione fisica 1 online resource (33 pages)
Disciplina 621.3815284
Soggetto topico Field-effect transistors
ISBN 0-7381-4235-2
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Altri titoli varianti ANSI/IEEE Std 641-1987: IEEE Standard Definitions and Characterization of Metal Nitride Oxide Semiconductor Arrays
Record Nr. UNISA-996279556003316
[Place of publication not identified] : , : IEEE, , 1988
Materiale a stampa
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Band-bending effect of low-temperature GaAs on a pseudomorphic modulation-doped field-effect transistor [[electronic resource] /] / W. D. Sun ... [and others]
Band-bending effect of low-temperature GaAs on a pseudomorphic modulation-doped field-effect transistor [[electronic resource] /] / W. D. Sun ... [and others]
Pubbl/distr/stampa Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [1999]
Descrizione fisica iii, 13 pages : digital, PDF file
Altri autori (Persone) SunW. D
Collana ARL-TR
Soggetto topico Field-effect transistors
Quantum wells
Photoluminescence
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910697682903321
Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [1999]
Materiale a stampa
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Classical gradual-channel modeling of graphene field-effect transistors (FETs) [[electronic resource] /] / Frank Crowne
Classical gradual-channel modeling of graphene field-effect transistors (FETs) [[electronic resource] /] / Frank Crowne
Autore Crowne Frank
Pubbl/distr/stampa Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2010]
Descrizione fisica 1 online resource (v, 69 pages) : color illustrations
Collana ARL-TR
Soggetto topico Field-effect transistors
Graphene - Properties - Mathematical models
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Altri titoli varianti Classical gradual-channel modeling of graphene field-effect transistors
Record Nr. UNINA-9910699631003321
Crowne Frank  
Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2010]
Materiale a stampa
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Opac: Controlla la disponibilità qui
Development of gate and base drive using SiC junction field effect transistors [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin
Development of gate and base drive using SiC junction field effect transistors [[electronic resource] /] / by Timothy E. Griffin
Autore Griffin Timothy E
Pubbl/distr/stampa Adelphi, Md. : , : Army Research Laboratory, , [2008]
Descrizione fisica iv, 16 pages : digital, PDF file
Collana ARL-TR
Soggetto topico Field-effect transistors
Junction transistors
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910698127803321
Griffin Timothy E  
Adelphi, Md. : , : Army Research Laboratory, , [2008]
Materiale a stampa
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Opac: Controlla la disponibilità qui
Different types of field-effect transistors : theory and applications / / edited by Momčilo Pejović, Milić M. Pejovic
Different types of field-effect transistors : theory and applications / / edited by Momčilo Pejović, Milić M. Pejovic
Pubbl/distr/stampa Rijeka, Croatia : , : IntechOpen, , [2017]
Descrizione fisica 1 online resource (192 pages)
Disciplina 621.3815284
Soggetto topico Field-effect transistors
ISBN 953-51-4804-4
953-51-3176-1
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Altri titoli varianti Different types of field-effect transistors
Record Nr. UNINA-9910251429703321
Rijeka, Croatia : , : IntechOpen, , [2017]
Materiale a stampa
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Differential amplifier circuits based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) [[electronic resource] /] / Stephen Kilpatrick and Matthew Chin
Differential amplifier circuits based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) [[electronic resource] /] / Stephen Kilpatrick and Matthew Chin
Autore Kilpatrick Stephen
Pubbl/distr/stampa Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2010]
Descrizione fisica 1 online resource (iv, 16 pages) : illustrations
Altri autori (Persone) ChinMatthew
Collana ARL-TR
Soggetto topico Field-effect transistors
Low noise amplifiers
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Altri titoli varianti Differential amplifier circuits based on carbon nanotube field effect transistors
Record Nr. UNINA-9910697161103321
Kilpatrick Stephen  
Adelphi, MD : , : Army Research Laboratory, , [2010]
Materiale a stampa
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Opac: Controlla la disponibilità qui
DRC : Device Research Conference : 62nd DRC : conference digest : June 21-23, 2004, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
DRC : Device Research Conference : 62nd DRC : conference digest : June 21-23, 2004, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana / / Institute of Electrical and Electronics Engineers
Pubbl/distr/stampa Piscataway, New Jersey : , : Institute of Electrical and Electronics Engineers, , 2004
Descrizione fisica 1 online resource (179 pages)
Disciplina 621.3815
Soggetto topico Integrated circuits
Lasers
Field-effect transistors
Semiconductors
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNISA-996207362103316
Piscataway, New Jersey : , : Institute of Electrical and Electronics Engineers, , 2004
Materiale a stampa
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Opac: Controlla la disponibilità qui
Effects of growth conditions on the measured electrical properties of monolayer molybdenum disulfide / by Alexander L Mazzoni [and three others]
Effects of growth conditions on the measured electrical properties of monolayer molybdenum disulfide / by Alexander L Mazzoni [and three others]
Autore Mazzoni Alexander L.
Pubbl/distr/stampa Adelphi, MD : , : US Army Research Laboratory, , Feb 2017
Descrizione fisica 1 online resource (viii, 40 pages) : color illustrations
Collana ARL-TR
Soggetto topico Molybdenum disulfide
Field-effect transistors
Electron mobility
Soggetto genere / forma Technical reports.
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910711480103321
Mazzoni Alexander L.  
Adelphi, MD : , : US Army Research Laboratory, , Feb 2017
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Field effect transistor applications / William Gosling
Field effect transistor applications / William Gosling
Autore Gosling, William
Pubbl/distr/stampa London : Temple Press Books, 1964
Descrizione fisica x, 143 p. : ill. ; 22 cm.
Soggetto topico Field-effect transistors
ISBN 0408701234
Classificazione 621.3.1
621.3.2
621.3815'28
TK7871.95
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNISALENTO-991000944119707536
Gosling, William  
London : Temple Press Books, 1964
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. del Salento
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