top

  Info

  • Utilizzare la checkbox di selezione a fianco di ciascun documento per attivare le funzionalità di stampa, invio email, download nei formati disponibili del (i) record.

  Info

  • Utilizzare questo link per rimuovere la selezione effettuata.

Biblioteca

MARC Lista (tabellare)
Introduction to modern power electronics / / Andrzej M. Trzynadlowski
Introduction to modern power electronics / / Andrzej M. Trzynadlowski
Autore Trzynadlowski Andrzej
Edizione [Third edition.]
Pubbl/distr/stampa Hoboken, New Jersey : , : Wiley, , 2016
Descrizione fisica 1 online resource (471 pages) : illustrations, charts, tables, graphs
Disciplina 621.31/7
Soggetto topico Power electronics
ISBN 1119003229
9781119003229
Classificazione 549.8
621.31/7
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910796073303321
Trzynadlowski Andrzej  
Hoboken, New Jersey : , : Wiley, , 2016
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Introduction to modern power electronics / / Andrzej M. Trzynadlowski
Introduction to modern power electronics / / Andrzej M. Trzynadlowski
Autore Trzynadlowski Andrzej
Edizione [Third edition.]
Pubbl/distr/stampa Hoboken, New Jersey : , : Wiley, , 2016
Descrizione fisica 1 online resource (471 pages) : illustrations, charts, tables, graphs
Disciplina 621.31/7
Soggetto topico Power electronics
ISBN 1119003229
9781119003229
Classificazione 549.8
621.31/7
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910820180003321
Trzynadlowski Andrzej  
Hoboken, New Jersey : , : Wiley, , 2016
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Semiconductor material and device characterization [[electronic resource] /] / Dieter K. Schroder
Semiconductor material and device characterization [[electronic resource] /] / Dieter K. Schroder
Autore Schroder Dieter K
Edizione [3rd ed.]
Pubbl/distr/stampa [Piscataway, NJ], : IEEE Press
Descrizione fisica 1 online resource (799 p.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Semiconductors
Semiconductors - Testing
ISBN 1-280-65470-8
9786610654703
0-470-36250-2
0-471-74909-5
0-471-74908-7
Classificazione 549.8
621.3815/2
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Resistivity -- Carrier and doping density -- Contact resistance and Schottky barriers -- Series resistance, channel length and width, and threshold voltage -- Defects -- Oxide and interface trapped charges, oxide thickness -- Carrier lifetimes -- Mobility -- Charge-based and probe characterization -- Optical characterization -- Chemical and physical characterization -- Reliability and failure analysis.
Record Nr. UNISA-996202345903316
Schroder Dieter K  
[Piscataway, NJ], : IEEE Press
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. di Salerno
Opac: Controlla la disponibilità qui
Semiconductor material and device characterization [[electronic resource] /] / Dieter K. Schroder
Semiconductor material and device characterization [[electronic resource] /] / Dieter K. Schroder
Autore Schroder Dieter K
Edizione [3rd ed.]
Pubbl/distr/stampa [Piscataway, NJ], : IEEE Press
Descrizione fisica 1 online resource (799 p.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Semiconductors
Semiconductors - Testing
ISBN 1-280-65470-8
9786610654703
0-470-36250-2
0-471-74909-5
0-471-74908-7
Classificazione 549.8
621.3815/2
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Resistivity -- Carrier and doping density -- Contact resistance and Schottky barriers -- Series resistance, channel length and width, and threshold voltage -- Defects -- Oxide and interface trapped charges, oxide thickness -- Carrier lifetimes -- Mobility -- Charge-based and probe characterization -- Optical characterization -- Chemical and physical characterization -- Reliability and failure analysis.
Record Nr. UNINA-9910830976103321
Schroder Dieter K  
[Piscataway, NJ], : IEEE Press
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Semiconductor material and device characterization / / Dieter K. Schroder
Semiconductor material and device characterization / / Dieter K. Schroder
Autore Schroder Dieter K
Edizione [3rd ed.]
Pubbl/distr/stampa [Piscataway, NJ], : IEEE Press
Descrizione fisica 1 online resource (799 p.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Semiconductors
Semiconductors - Testing
ISBN 1-280-65470-8
9786610654703
0-470-36250-2
0-471-74909-5
0-471-74908-7
Classificazione 549.8
621.3815/2
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Resistivity -- Carrier and doping density -- Contact resistance and Schottky barriers -- Series resistance, channel length and width, and threshold voltage -- Defects -- Oxide and interface trapped charges, oxide thickness -- Carrier lifetimes -- Mobility -- Charge-based and probe characterization -- Optical characterization -- Chemical and physical characterization -- Reliability and failure analysis.
Record Nr. UNINA-9910877632003321
Schroder Dieter K  
[Piscataway, NJ], : IEEE Press
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
パワーデバイス / / 山本秀和著
パワーデバイス / / 山本秀和著
Pubbl/distr/stampa 東京, : コロナ社, 2012.2
Descrizione fisica オンライン資料1件
Altri autori (Persone) 山本秀和
Soggetto topico 半導体
パワーエレクトロニクス
ISBN 4-339-10831-6
4-339-20831-0
Classificazione 549.8
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione jpn
Altri titoli varianti Power devices
Record Nr. UNINA-9910149132403321
東京, : コロナ社, 2012.2
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
マンガでわかる半導体
マンガでわかる半導体
Pubbl/distr/stampa 東京, : オーム社, 2010.4
Descrizione fisica オンライン資料1件
Altri autori (Persone) 渋谷道雄
高山ヤマ
トレンド･プロ
Soggetto topico 半導体
ISBN 9784274802294
4274802299
Classificazione 549.8
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione jpn
Nota di contenuto 表紙 -- クレジット -- まえがき -- 目次 -- プロローグ　俺とメイドとカレーライス -- 第1章　半導体ってなんだろう -- 1　半導体とは -- ・どこに注目するか -- ・導体と絶縁体 -- 2　産業のコメ -- ・IC -- ・トランジスタ -- 3　高速化するIC -- ・FET -- 4　パソコン関連以外のIC -- ・マイコンとは -- ・電源回路 -- ・ダイオード -- ・LED -- ・その他の半導体製品 -- 5　フォローアップ -- ・シリコンバレーの発祥の地 -- ・トランジスタ -- ・IT、PC、CPU -- ・ゴードン・ムーアとムーアの法則 -- 第2章　アナログとデジタルの世界 -- 1　人間の五感はほぼアナログ -- 2　デジタルとは1と0のこと? -- ・2値論理 -- ・bit(ビット) -- 3　標本化と量子化 -- ・ブール代数 -- ・論理回路 -- ・正論理と負論理 -- ・2値論理 -- 4　デジタル信号 -- ・ハイレベルとローレベル -- 5　フォローアップ -- ・携帯電話の場合 -- ・ブール代数 -- 第3章　半導体部品とその材料 -- 1　導体(金属・半金属など)の比較 -- ・導体 -- ・オームの法則の利用 -- ・比抵抗 -- 2　シリコンやゲルマニウム -- ・比抵抗の温度依存性 -- ・周辺の学問・技術 -- 第4章　さまざまな物質の原点、それは原子 -- 1　原子の構造と周期表 -- ・電子のエネルギー状態 -- ・整流特性 -- ・原子の集まり、分子と結晶 -- 2　フォローアップ -- ・周期表の補足解説 -- ・真性半導体とエネルギー・バンド構造の補足 -- 第5章　不純物を少し混ぜたシリコン単結晶 -- 不純半導体のエネルギーバンド -- ・結晶は平面でなく立体 -- ・ドナーレベル -- 第6章　不純物半導体の応用、ダイオードとトランジスタ -- 1　シリコンダイオード -- 2　トランジスタ -- ・バイポーラトランジスタ -- ・FET(電界効果トランジスタ) -- 3　フォローアップ -- ・CPUなどの基本構成要素、論理回路の基本的な構造 -- ・バイポーラ・トランジスタ(npn型)の動作概念 -- エピローグ -- 周期表 -- 索引 -- 参考文献・図書 -- 著者紹介 -- 奥付.
Altri titoli varianti The manga guide to semiconductor
Record Nr. UNINA-9910149148603321
東京, : オーム社, 2010.4
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
半導体・MEMSのための超臨界流体
半導体・MEMSのための超臨界流体
Pubbl/distr/stampa 東京, : コロナ社, 2012.9
Descrizione fisica オンライン資料1件
Altri autori (Persone) 近藤英一
上野和良
内田寛
曽根正人
生津英夫
服部毅
堀照夫
森口誠
Soggetto topico 半導体
マイクロマシン
超臨界流体
マイクロエレクトロニクス
ISBN 9784339108378
4339108375
9784339208375
433920837X
Classificazione 549.8
431.8
431.3
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione jpn
Altri titoli varianti 半導体MEMSのための超臨海流体
Record Nr. UNINA-9910149131303321
東京, : コロナ社, 2012.9
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
半導体工学
半導体工学
Edizione [第3版]
Pubbl/distr/stampa 東京, : 森北出版, 2013.10
Descrizione fisica オンライン資料1件
Altri autori (Persone) 高橋清
山田陽一
Soggetto topico 半導体
ISBN 9784627303713
4627303718
Classificazione 549.8
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione jpn
Nota di contenuto 紙 -- 第3版序文 -- 第2版序文 -- 初版序文 -- 目次 -- 1章　 子 入 -- 1.1　粒子と波動 -- 1.2　波束および群 度 -- 1.3　ド・ブロイの 係式 -- 1.4　シュレーディンガーの波動方程式 -- 1.5　束縛粒子 -- 1.6　フェルミエネルギー -- 1.7　状態密度 数 -- 1.8　トンネル効果 -- 演習問 -- 2章　固体の帯理 -- 2.1　帯理 の定性的な 明 -- 2.2　導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構 -- 2.3　波動方程式による帯理 の導出 -- 演習問 -- 3章　統 力学の基礎 -- 3.1　エネルギー分布則の種 -- 3.2　フェルミ-ディラックの分布 数 -- 演習問 -- 4章　半導体と 導機構 -- 4.1　半導体の歴史的経緯 -- 4.2　半導体の 気伝導現 -- 4.3　真性半導体中のキャリア濃度 -- 4.4　外因性半導体中のキャリア濃度 -- 4.5　キャリアの再結合 -- 4.6　 続の方程式 -- 4.7　キャリアの移動度 -- 4.8　アインシュタインの 係式 -- 4.9　半導体材料の種 -- 4.10　p型,n型への変換 -- 演習問 -- 5章　p-n接合 -- 5.1　p-n接合のエネルギー準位図 -- 5.2　p-n接合の 圧- 流特性 -- 5.3　p-n接合の 方向 伏現 -- 5.4　p-n接合の接合容 -- 5.5　トンネル(エサキ)ダイオード -- 演習問 -- 6章　ヘテロ接合と 属-半導体接 -- 6.1　ヘテロ接合 -- 6.2　ヘテロ接合のエネルギー準位図 -- 6.3　ヘテロ接合の 流 機構 -- 6.4　ヘテロ接合の 子素子への応用 -- 6.5　 属-半導体接 -- 6.6　 属-半導体接 のエネルギー準位図 -- 6.7　ベーテのダイオード理 -- 演習問 -- 7章　トランジスタと 積回 -- 7.1　トランジスタの分 -- 7.2　接合型トランジスタ -- 7.3　 界効果トランジスタ(FET) -- 7.4　スイッチング用トランジスタ -- 7.5　 結合素子(CCD) -- 7.6　 積回 -- 演習問 -- 8章　半導体の光学的性 -- 8.1　光と物 との相互作用 -- 8.2　半導体からの発光 -- 8.3　光 効果 -- 演習問 -- 9章　発光デバイスと受光デバイス -- 9.1　発光ダイオード -- 9.2　半導体レーザダイオード -- 9.3　太 池 -- 9.4　フォトダイオード,フォトトランジスタ -- 9.5　オプトエレクトロニクス -- 演習問 -- 10章　半導体の各種性 -- 10.1　熱 的性 -- 10.2　磁 効果 -- 10.3　ひずみ抵抗効果 -- 演習問 -- 11章　 子効果デバイス -- 11.1　 格子 -- 11.2　人工格子 -- 11.3　 子井戸 -- 11.4　 子 から 子細線, 子箱,さらには 子点へ -- 11.5　エニオン(Anyon) -- 11.6　 子の粒子性から波動性へ -- 11.7　 子効果デバイスの特徴 -- 11.8　インコヒーレント 子波からコヒーレント 子波へ -- 11.9　AB効果 -- 11.10　キャリアからプロパゲータへ -- 12章　21世紀のエレクトロニクス -- 12.1　20世紀の科学技 -- 12.2　 子情報科学の3本柱 -- 12.3　 子コンピュータ -- 12.4　 子暗号 -- 12.5　 子情報 信 -- 12.6　 子物理学は本当に無敗か? -- エピローグ -- 付 -- 1　各種半導体の物性定数 -- 2　物理定数 -- 3　単位(SI)の接 -- 演習問 答 -- さくいん -- 奥付.
Altri titoli varianti Semiconductor physics
Record Nr. UNINA-9910160702103321
東京, : 森北出版, 2013.10
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
高校化学からはじめる半導体 / / 市村正也著
高校化学からはじめる半導体 / / 市村正也著
Pubbl/distr/stampa 東京, : オーム社, 2011.3
Descrizione fisica オンライン資料1件
Altri autori (Persone) 市村正也
Soggetto topico 半導体
ISBN 4-274-83056-X
Classificazione 549.8
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione jpn
Nota di contenuto 紙 -- はじめに -- 目次 -- 第0章　半導体の発 これは物理学 それとも化学 -- 1.　物理学と化学 -- 2.　半導体の発 ではなかったこと -- 3.　半導体の発 -- 4.　半導体とは -- 5.　ファラデー後 -- 6.　光伝導 -- 7.　ダイオード -- 8.　半導体エレクトロニクス -- 9.　半導体は発 されたか -- 10.　バンド理 -- 11.　トランジスタ -- 12.　理 と現実 -- 13.　再び 物理学と化学 -- 第1章　 校"バケガク"総復習 -- 1-1　物 の成り立ち -- 1-1.1　原子の構 -- 1-1.2　 子の性 子力学 物理の復習1) -- 1-1.3　 子のエネルギー準位 物理の復習2) -- 1-1.4　 子 置と周期 -- 1-1.5　イオン -- 1-1.6　イオン結合とイオン結晶 -- 1-1.7　共有結合 -- 1-1.8　 子の と分子・結晶の形 -- 1-1.9　 属結合と 属結晶 -- 1-2　物 の変化 -- 1-2.1　化学反応と反応熱 -- 1-2.2　物 の三態と状態図 -- 1-2.3　化学平 の法則 -- 1-2.4　化学平 の法則 つづき) -- 1-2.5　反応 度と活性化エネルギー -- 1-2.6　溶液の性 -- 1-2.7　 と塩基 平 -- 1-2.8　中和反応 化 元反応 -- 演習問 -- 第2章　半導体とは何か -- 2-1　半導体とは -- 2-1.1　結合 と反結合 -- 2-1.2　分子から結晶へ バンド構 ) -- 2-1.3　導体と絶縁体 -- 2-1.4　半導体とは -- 2-1.5　 子と正孔 -- 2-1.6　有効 -- 2-2　半導体中のキャリア -- 2-2.1　不純物ドーピング -- 2-2.2　 子密度と正孔密度の 算 -- 2-2.3　フェルミ準位 -- 2-2.4　ドナー アクセプタのイオン化率とフェルミ・ディラック分布 数 -- 2-2.5　ドナーとアクセプタの分布 数 発展 -- 2-2.6　温度とキャリア密度の 係1 -- 2-2.7　温度とキャリア密度の 係2 発展 -- 2-2.8　実効状態密度の 算 発展 -- 2-3　半導体の性 -- 2-3.1　 界による 気伝導 -- 2-3.2　ホール効果 -- 2-3.3　キャリアの拡散 -- 2-3.4　発生と再結合 -- 2-3.5　欠 準位を介した再結合 -- 2-3.6　欠 準位を介した発生 -- 2-3.7　再結合発生の一 的な理 発展 -- 2-3.8　 続の式 -- 2-3.9　半導体中の欠 -- 2-3.10　光と半導体 -- 演習問 -- 第3章　半導体は○○からできている -- 3-1　半導体材料 -- 3-1.1　14 Ⅳ 族半導体 C Si Ge Sn -- 3-1.2　シリコン -- 3-1.3　Ⅳ族の混晶半導体と化合物半導体 -- 3-1.4　Ⅲ-Ⅴ族半導体とⅡ-Ⅵ族半導体 -- 3-1.5　カルコパイライト半導体 -- 3-1.6　いろいろな半導体1 硫化物 -- 3-1.7　いろいろな半導体2 化物 -- 3-1.8　いろいろな半導体3 有機物 -- 3-1.9　化合物のドーピングと欠 -- 3-2　半導体の作り方 -- 3-2.1　半導体の作り方1 単結晶ウエーハ -- 3-2.2　半導体の作り方2 液と溶液 エピタキシー -- 3-2.3　半導体の作り方3 気相と真空 -- 3-2.4　半導体の作り方4 気体分子の化学反応 -- 3-2.5　半導体の作り方5 水溶液からの合成法 -- 3-2.6　アモルファス半導体 -- 3-2.7　 子井戸構 と 格子 -- 演習問 -- 第4章　半導体デバイスを分析する -- 4-1　pn接合 -- 4-1.1　拡散とポテンシャル差 -- 4-1.2　pn接合の界 で こること -- 4-1.3　pn接合のバンド図 -- 4-1.4　pn接合での 界と 位発展 -- 4-1.5　pn接合でのキャリアの動き -- 4-1.6　pn接合の 流 -- 4-1.7　pn接合の 気容 -- 4-1.8　 属半導体接 -- 4-2　トランジスタと光デバイス -- 4-2.1　バイポーラトランジスタ -- 4-2.2　MOS MIS 構 -- 4-2.3　MOS 界効果トランジスタ -- 4-2.4　受光デバイス.
4-2.5　太 池 -- 4-2.6　発光ダイオード LED) -- 4-2.7　半導体レーザ -- 演習問 -- 第5章　 積回 の作り方 -- 5-1　不純物拡散 -- 5-2　イオン打ち み -- 5-3　 化 -- 5-4　エッチング -- 5-5　フォトリソグラフィの原理 -- 5-6　フォトリソグラフィによる 積回 作 -- 5-7 積回 とは -- 演習問 -- 参 文献 -- 演習問 　 答・ -- 索引 -- 奥付.
Altri titoli varianti 半導体 : 高校化学からはじめる
Record Nr. UNINA-9910148967703321
東京, : オーム社, 2011.3
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui