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表面新物質創製 / / 日本表面科学会編
| 表面新物質創製 / / 日本表面科学会編 |
| Pubbl/distr/stampa | 東京, : 共立出版, 2011.9 |
| Descrizione fisica | オンライン資料1件 |
| Collana | 現代表面科学シリーズ / 日本表面科学会編 |
| Soggetto topico |
表面物理学
表面(工学) |
| ISBN |
4-320-98542-7
4-320-98377-7 |
| Classificazione |
428.4
501.2 |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | jpn |
| Nota di contenuto |
表紙 -- 口絵 -- 現代表面科学シリーズ編集委員会 -- シリーズ刊行にあたって -- まえがき -- 担当編集委員 -- 目次 -- 第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 -- 1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 -- 1.1.1 はじめに -- 1.1.2 Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長 -- 1.1.3 透過型電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察 -- 1.1.4 hut cluster上Geマクロアイランドの成長過程 -- 1.1.5 アイランド化を誘引する成長欠陥の多様性 -- 1.1.6 アイランド化機構の成長温度依存性 -- 1.1.7 Si(001)表面上Ge成長のその場反射高速電子線回折 -- 1.1.8 Si(001)表面上Geアイランドの形成メカニズム -- 1.1.9 まとめ -- 1.2 高規則化刃状転位ネットワーク形成による柊一歪Si1-xGex・Ge層の創製 -- 1.2.1 はじめに -- 1.2.2 歪系ヘテロ界面における転位制御の意義 -- 1.2.3 60°転位と刃状転位 -- 1.2.4 ヘテロ界面における転位構造の変換と歪緩和制御 -- 1.2.5 歪緩和Si1-xGex層における局所領域微細構造の評価 -- 1.2.6 刃状転位ネットワークの有効性 -- 1.2.7 まとめ -- 1.3 GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播 -- 1.3.1 はじめに -- 1.3.2 HVPEによるエピタキシャル横方向成長 -- 1.3.3 サファイアc面上GaN層中の貫通転位 -- 1.3.4 ELO-GaN膜中の転位・欠陥構造 -- 1.3.5 ELO初期の転位形態 -- 1.3.6 ELO-GaN膜の表面形態と成長様式 -- 1.3.7 転位が曲がるメカニズム -- 1.3.8 ELO中期の転位形態 -- 1.3.9 自己組織的転位伝播のメカニズム -- 1.3.10 マスク上欠陥形成と転位低減機構 -- 1.3.11 まとめ -- 引用・参考文献 -- 第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 -- 2.1 原子操作による表面物質創製 -- 2.1.1 はじめに -- 2.1.2 原子操作創成期(1980年代) -- 2.1.3 原子操作の確立(1989年～) -- 2.1.4 機能創出(1990年代より) -- 2.1.5 化学反応(ナノケミストリ) -- 2.1.6 AFMによる原子操作の実現 -- 2.1.7 原子操作の将来像 -- 2.1.8 おわりに -- 2.2 原子操作による導電性分子デバイス -- 2.2.1 はじめに -- 2.2.2 分子配線材料と導電性高分子 -- 2.2.3 分子配線1本の電気物性測定法の確立 -- 2.2.4 導電性高分子1本の電気物性測定 -- 2.2.5 SPMを分子カッターとして利用した1本レベルの特性評価 -- 2.2.6 導電性ナノファイバー1本レベルでの電子機能計測 -- 2.2.7 おわりに -- 引用・参考文献 -- 第3章 自己組織化によるナノワイヤ,ナノドット形成 -- 3.1 VLS法によるナノワイヤ成長 -- 3.1.1 はじめに -- 3.1.2 VLS成長法 -- 3.1.3 ナノワイヤの結晶構造 -- 3.1.4 ナノワイヤのヘテロ構造 -- 3.1.5 ナノワイヤの成長 -- 3.1.6 おわりに -- 3.2 シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造,3次元構造 -- 3.2.1 シリコン(Si)基板上III-V族半導体成長 -- 3.2.2 ヘテロ構造で3次元デバイス -- 3.2.3 実験 -- 3.2.4 軸方向のヘテロ構造による曲がったナノワイヤ -- 3.2.5 動径方向のヘテロ構造によるコア-マルチシェルナノワイヤ -- 3.2.6 長波長帯発光のためのGaInAs/AlInAsヘテロ構造ナノワイヤ -- 3.2.7 おわりに -- 3.3 生体物質を用いた金属ナノドット形成 -- 3.3.1 はじめに -- 3.3.2 タンパク質バイオテンプレートとナノ粒子 -- 3.3.3 フェリチンタンパク質とリステリアDpsタンパク質を用いたナノ粒子の作製 -- 3.3.4 応用展開および将来展望.
3.4 自己組織化による界面のデザイン:有機膜形成 -- 3.4.1 はじめに -- 3.4.2 アルカンチオールSAMの基本特性 -- 3.4.3 機能性自己組織化膜の基本特性 -- 3.4.4 機能性自己組織化膜の応用 -- 引用・参考文献 -- 第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 -- 4.1 基板表面上のグラフェンの創製 -- 4.1.1 グラフェン -- 4.1.2 金属表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.3 SiC表面上でのグラフェン創製 -- 4.1.4 SiC(0001)表面上でのエピタキシャルグラフェン成長の実際 -- 4.2 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御 -- 4.2.1 単層カーボンナノチューブの成長 -- 4.2.2 表面原子列による配列制御 -- 4.2.3 原子ステップによる配列制御 -- 4.2.4 表面構造物を利用した自己組織化成長 -- 引用・参考文献 -- 索引 -- 奥付. |
| Record Nr. | UNINA-9910149611903321 |
| 東京, : 共立出版, 2011.9 | ||
| Materiale a stampa | ||
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表面物性 / / 日本表面科学会編
| 表面物性 / / 日本表面科学会編 |
| Autore | 日本表面科学会姐担当編集幹事 |
| Pubbl/distr/stampa | 東京, : 共立出版, 2012.10 |
| Descrizione fisica | オンライン資料1件 |
| Collana | 現代表面科学シリーズ / 日本表面科学会編 |
| Soggetto topico |
表面物理学
表面(工学) 物性論 |
| ISBN |
4-320-98539-7
4-320-98376-9 |
| Classificazione |
428.4
501.2 |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | jpn |
| Nota di contenuto |
表紙 -- 現代表面科学シリーズ編集委員会 -- シリーズ刊行にあたって -- まえがき -- 担当編集委員 -- 目次 -- 第1章 力学物性 -- 1.1 熱力学 -- 1.1.1 バルクの熱力学 -- 1.1.2 表面の熱力学 -- 1.1.3 表面張力とぬれ -- 1.1.4 表面自由エネルギーと薄膜成長 -- 1.1.5 結晶表面の静的・動的構造 -- 1.2 摩擦のナノ力学 -- 1.2.1 ナノトライボロジー -- 1.2.2 ナノスケールの摩擦へのアプローチ -- 1.2.3 1次元Tomlinsonモデル -- 1.2.4 2次元Tomlinsonモデル -- 1.2.5 3次元Tomlinsonモデル -- 1.2.6 実験との比較 -- 1.2.7 超潤滑 -- 1.2.8 超潤滑C60分子ベアリング(実験) -- 1.2.9 超潤滑C60分子ベアリング(理論) -- 引用・参考文献 -- 第2章 低次元物性 -- 2.1 低次元系としての表面 -- 2.2 表面状態と表面共鳴 -- 2.3 パイエルス不安定性とパイエルス転移 -- 2.4 電子相関の関係する物性現象 -- 2.4.1 モット絶縁体 -- 2.4.2 近藤効果 -- 2.4.3 朝永-ラッティンジャー液体 -- 2.5 スピン軌道相互作用がもたらす物性 -- 2.5.1 ラシュバ効果 -- 2.5.2 トポロジカル絶縁体 -- 引用・参考文献 -- 第3章 電子的・電気的特性 -- 3.1 表面電子状態 -- 3.1.1 4種の表面状態 -- 3.1.2 ショックレー状態とバンド分散 -- 3.1.3 空間反転対称性の破れの効果 -- 3.1.4 ディラックコーン型表面状態 -- 3.1.5 トポロジカル表面状態 -- 3.2 仕事関数 -- 3.3 バンド湾曲と空間電荷層 -- 3.4 表面平行方向の伝導 -- 3.4.1 三つの伝導パス -- 3.4.2 空間電荷層での伝導と電界効果トランジスタ -- 3.4.3 表面状態伝導 -- 3.5 表面垂直方向の伝導 -- 3.5.1 ショットキー接触とオーム性接触 -- 3.5.2 ショットキー障壁と整流作用 -- 3.5.3 ショットキー障壁の形成モデル -- 3.5.4 ショットキー障壁高の測定と接合の構造 -- 引用・参考文献 -- 第4章 表面・ナノ構造磁性 -- 4.1 はじめに -- 4.2 バルク強磁性体の表面 -- 4.3 エピタキシャル超薄膜の磁性 -- 4.3.1 エピタキシャル超薄膜磁性の面白さ -- 4.3.2 Cu(001)基板上のコバルト薄膜 -- 4.3.3 Cu(001)基板上の鉄薄膜 -- 4.3.4 Cu(001)基板上のニッケル薄膜 -- 4.3.5 タングステンとモリブデン基板上の鉄薄膜 -- 4.3.6 反強磁性金属表面 -- 4.4 表面ナノ磁性体と孤立磁性原子 -- 4.4.1 磁性ワイヤ列 -- 4.4.2 単一磁区ナノドット -- 4.4.3 単一原子のスピン検出 -- 4.4.4 単一原子の近藤効果 -- 4.5 磁性を調べる方法 -- 4.5.1 スピン偏極走査型プローブ顕微鏡(SP-SPM) -- 4.5.2 線形磁気光学カー効果(SMOKE)測定 -- 4.5.3 スピン偏極低速電子回折(SPLEED) -- 4.5.4 スピン分解光電子分光(SRPES) -- 4.5.5 軟X線磁気円2色性(XMCD)測定 -- 4.5.6 磁気第二高調波発生(MSHG) -- 4.5.7 スピン偏極電子エネルギー損失分光(SPEELS) -- 引用・参考文献 -- 第5章 化学的特性 -- 5.1 化学的安定性,疎水性・親水性およびそれらの制御 -- 5.1.1 化学的安定性 -- 5.1.2 表面の親水性・疎水性 -- 5.1.3 表面修飾による化学特性の制御 -- 5.2 反応性 -- 5.2.1 表面化合物 -- 5.2.2 触媒作用 -- 5.2.3 表面反応の活性化エネルギー -- 5.2.4 まとめ -- 引用・参考文献 -- 第6章 表面の素励起 -- 6.1 はじめに -- 6.2 表面フォノン -- 6.2.1 バルクフォノンと表面フォノン -- 6.2.2 表面フォノンの測定原理 -- 6.2.3 表面フォノンの解析方法 -- 6.2.4 表面フォノン解析の具体例.
6.3 表面プラズモン -- 6.3.1 バルクプラズモンと表面プラズモン -- 6.3.2 表面プラズモンポラリトン -- 6.3.3 低次元電子系・金属ナノ構造のプラズモン -- 6.3.4 局在型のプラズモン -- 6.4 表面エキシトン -- 6.4.1 エキシトン -- 6.4.2 表面・ナノ構造のエキシトン -- 引用・参考文献 -- 第7章 非弾性トンネル分光 -- 7.1 はじめに -- 7.2 トンネル分光 -- 7.3 非弾性トンネル分光 -- 引用・参考文献 -- 奥付. |
| Record Nr. | UNINA-9910149612003321 |
日本表面科学会姐担当編集幹事
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| 東京, : 共立出版, 2012.10 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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