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MTDT 2009 : 2009 IEEE International Workshop on Memory Technology, Design, and Testing : proceedings, 31 August- 2 September 2009, Hsinchu, Taiwan
| MTDT 2009 : 2009 IEEE International Workshop on Memory Technology, Design, and Testing : proceedings, 31 August- 2 September 2009, Hsinchu, Taiwan |
| Pubbl/distr/stampa | [Place of publication not identified], : IEEE Computer Society, 2009 |
| Disciplina | 004.568 |
| Soggetto topico |
Semiconductor storage devices - Testing
Random access memory Electrical & Computer Engineering Engineering & Applied Sciences Electrical Engineering |
| ISBN | 1-5090-7335-3 |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Record Nr. | UNISA-996216377803316 |
| [Place of publication not identified], : IEEE Computer Society, 2009 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. di Salerno | ||
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MTDT 2009 : 2009 IEEE International Workshop on Memory Technology, Design, and Testing : proceedings, 31 August- 2 September 2009, Hsinchu, Taiwan
| MTDT 2009 : 2009 IEEE International Workshop on Memory Technology, Design, and Testing : proceedings, 31 August- 2 September 2009, Hsinchu, Taiwan |
| Pubbl/distr/stampa | [Place of publication not identified], : IEEE Computer Society, 2009 |
| Disciplina | 004.568 |
| Soggetto topico |
Semiconductor storage devices - Testing
Random access memory Electrical & Computer Engineering Engineering & Applied Sciences Electrical Engineering |
| ISBN |
9781509073351
1509073353 |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Record Nr. | UNINA-9910140047703321 |
| [Place of publication not identified], : IEEE Computer Society, 2009 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
| Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen |
| Autore | Li Hai <1975, > |
| Pubbl/distr/stampa | Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 |
| Descrizione fisica | 1 online resource (200 p.) |
| Disciplina |
004.568
621.39732 |
| Altri autori (Persone) | ChenYiran <1976-> |
| Soggetto topico |
Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers) Flash memories (Computers) Change of state (Physics) - Industrial applications |
| Soggetto genere / forma | Electronic books. |
| ISBN |
1-280-12159-9
9786613525451 1-4398-0746-9 |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Nota di contenuto | 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory. |
| Record Nr. | UNINA-9910458158103321 |
Li Hai <1975, >
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| Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
| Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen |
| Autore | Li Hai <1975, > |
| Pubbl/distr/stampa | Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 |
| Descrizione fisica | 1 online resource (200 p.) |
| Disciplina |
004.568
621.39732 |
| Altri autori (Persone) | ChenYiran <1976-> |
| Soggetto topico |
Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers) Flash memories (Computers) Change of state (Physics) - Industrial applications |
| ISBN |
1-315-21830-5
1-351-83419-3 1-280-12159-9 9786613525451 1-4398-0746-9 |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Nota di contenuto | 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory. |
| Record Nr. | UNINA-9910781525203321 |
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Li Hai <1975, >
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| Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 | ||
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